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Datasheet > 晶体管 > 射频双极晶体管> TPV695A
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TPV695A

更新时间： 2024-11-19 22:16:35
品牌 Logo 应用领域
摩托罗拉 - MOTOROLA 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 77K
描述
UHF LINEAR POWER TRANSISTOR

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TPV695A 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.65
外壳连接：EMITTER最大集电极电流 (IC)：5 A
基于收集器的最大容量：20 pF集电极-发射极最大电压：28 V
配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：20
最高频带：ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码：R-CDFM-F4
元件数量：2端子数量：4
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN功耗环境最大值：50 W
最小功率增益 (Gp)：10 dB认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TPV695A 数据手册

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by TPV695A/D  
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
The RF Line  
Designed for driver and output stages in band IV and V TV transposers and  
transmitter amplifiers. The TPV695A uses gold metallized die with diffused  
emitter ballast resistors to enhance reliability, ruggedness and linearity.  
•
•
•
•
•
•
Band IV and V (470–860 MHz)  
14 W — P @ –47 dB IMD  
ref  
25 V — V  
CC  
14 W, 470–860 MHz  
UHF LINEAR  
POWER TRANSISTOR  
High Gain — 10 dB Min, Class A, f = 860 MHz  
Gold Metallization for Reliability  
Push–Pull Package  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Symbol  
Value  
28  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
V
CEO  
V
50  
CES  
EBO  
V
4.0  
5.0  
Collector Current — Continuous  
I
C
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
50  
0.4  
Watts  
W/°C  
C
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
T
200  
°C  
°C  
°C  
J
CASE 395B–01, STYLE 1  
BMA2  
T
stg  
–50 to +200  
–15 to +70  
Operating Case Temperature Range  
T
C
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
2.5  
°C/W  
θJC  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 20 mA, I = 0)  
V
(BR)CEO  
28  
50  
4.0  
—
—
—
—
—
—
—
—
15  
Vdc  
Vdc  
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = 20 mA, V  
BE  
= 0)  
V
C
(BR)CES  
(BR)EBO  
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = 5.0 mA, I = 0)  
V
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current (V  
CB  
= 19 V, I = 0)  
I
mAdc  
E
CBO  
ON CHARACTERISTICS  
DC Current Gain (I = 1.0 A, V  
CE  
= 10 V)  
h
20  
—
—
80  
20  
—
C
FE  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Output Capacitance (V  
CB  
= 28 V, I = 0, f = 1.0 MHz)  
C
18  
pF  
E
ob  
FUNCTIONAL TESTS  
Common–Emitter Amplifier Power Gain  
(V = 25 V, P = 14 W, f = 860 MHz, I = 2.0 x 900 mA)  
G
in  
10  
12.5  
—
—
—
—
—
dB  
W
PE  
CE out  
C
P
Overdrive (no degradation)  
(f = 470 MHz, V = 25 V, I = 2.0 x 900 mA)  
over  
CE  
Intermodulation Distortion, 3 Tone  
(f = 860 MHz, V = 25 V, I = 2.0 x 900 mA, P = 14 W,  
C
IMD  
–47  
–46  
dB  
1
CE ref  
E
Vision Carrier = –7.0 dB, Sound Carrier = –8.0 dB,  
Sideband Signal = –16 dB, Specification TV05001)  
REV 7  
Motorola, Inc. 1995  
1234

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