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TPSMC12HE3/9AT

更新时间： 2024-11-28 08:06:11
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 局域网光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 85K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9.72V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN

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TPSMC12HE3/9AT 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DO-214AB
包装说明：ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMC, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.71
其他特性：HIGH RELIABILITY, EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY最大击穿电压：13.2 V
最小击穿电压：10.8 V击穿电压标称值：12 V
最大钳位电压：17.3 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-214ABJESD-30 代码：R-PDSO-C2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：1500 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：185 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
参考标准：AEC-Q101最大重复峰值反向电压：9.72 V
子类别：Transient Suppressors表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：C BEND端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

TPSMC12HE3/9AT 数据手册

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TPSMC6.8 thru TPSMC47A  
Vishay General Semiconductor  
®
Surface Mount PAR Transient Voltage Suppressors  
High Temperature Stability and High Reliability Conditions  
FEATURES  
• Junction passivation optimized design  
passivated anisotropic rectifier technology  
• T = 185 °C capability suitable for high  
J
reliability and automotive requirement  
• Available in uni-directional polarity only  
• 1500 W peak pulse power capability with a  
10/1000 µs waveform  
DO-214AB (SMC)  
• Excellent clamping capability  
• Very fast response time  
• Low incremental surge resistance  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum  
peak of 260 °C  
PRIMARY CHARACTERISTICS  
• AEC-Q101 qualified  
VBR  
PPPM  
IFSM  
6.8 V to 47 V  
1500 W  
200 A  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in  
accordance to WEEE 2002/96/EC  
TJ max.  
185 °C  
MECHANICAL DATA  
Case: DO-214AB (SMC)  
Molding compound meets UL 94 V-0 flammability  
rating  
TYPICAL APPLICATIONS  
Use in sensitive electronics protection against voltage  
transients induced by inductive load switching and  
lighting on ICs, MOSFET, signal lines of sensor units  
for consumer, computer, industrial, automotive and  
telecommunication.  
Base P/NHE3 - RoHS compliant, AEC-Q101 qualified  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002 and JESD 22-B102  
HE3 suffix meets JESD 201 class 2 whisker test  
Polarity: Color band denotes cathode end  
MAXIMUM RATINGS (T = 25 °C unless otherwise noted)  
A
PARAMETER  
SYMBOL  
PPPM  
IPPM  
VALUE  
1500  
UNIT  
W
Peak pulse power dissipation with a 10/1000 µs waveform (1)(2) (fig. 3)  
Peak power pulse current with a 10/1000 µs waveform (1) (fig. 1)  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave (2)(3)  
Maximum instantaneous forward voltage at 100 A (2)(3)  
Operating junction and storage temperature range  
See next table  
200  
A
IFSM  
A
VF  
3.5  
V
TJ, TSTG  
- 65 to + 185  
°C  
Notes  
(1) Non-repetitive current pulse, per fig. 3 and derated above TA = 25 °C per fig. 2  
(2) Mounted on 0.31" x 0.31" (8.0 mm x 8.0 mm) copper pads at each terminal  
(3) Measured on 8.3 ms single half sine-wave, or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum  
Document Number: 88407  
Revision: 09-Feb-11  
For technical questions within your region, please contact one of the following:  
DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com  
www.vishay.com  
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与TPSMC12HE3/9AT相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPSMC12-HE3/9T VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLAST
TPSMC12HE3_A/H VISHAY

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 9.72V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, D
TPSMC13 EIC

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 		Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB, PLAST
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