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Datasheet > 触发装置 > 硅浪涌保护器> TPI8011NRL
TPI8011NRL PDF预览

TPI8011NRL

更新时间： 2024-01-17 14:26:26
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 触发装置硅浪涌保护器光电二极管综合业务数字网PC
页数 文件大小 规格书
7页 59K
描述
TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES

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TPI8011NRL 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.88最大转折电压：120 V
配置：DELTA CONNECTED, 3 ELEMENTSJESD-30 代码：R-PDSO-G8
通态非重复峰值电流：5 A元件数量：3
端子数量：8封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

TPI8011NRL 数据手册

 浏览型号TPI8011NRL的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TPI8011NRL的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPI8011NRL的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPI8011NRL的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TPI8011NRL的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TPI8011NRL的Datasheet PDF文件第7页 
TPI8011N  
TPI12011N  
Application Specific Discretes  
A.S.D.  
TRIPOLAR PROTECTION  
FOR ISDN INTERFACES  
FEATURES  
BIDIRECTIONAL TRIPLE CROWBAR  
PROTECTION.  
PEAK PULSE CURRENT :  
IPP = 30 A , 10/1000 µs.  
BREAKDOWN VOLTAGE:  
TPI80xxN: 80V  
TPI120xxN: 120V.  
AVAILABLEIN SO8 PACKAGES.  
LOW DYNAMIC BREAKOVER VOLTAGE :  
TPI80N : 150V  
TPI120 : 200V  
SO 8  
DESCRIPTION  
Dedicated devices for ISDN interface and high  
speed data telecom line protection. Equivalent to  
a triple TRISIL withlow capacitance.  
SCHEMATIC DIAGRAM  
Thesedevices provide :  
low capacitance from lines to ground, allowing  
high speed transmission without signal  
attenuation.  
-
1
2
3
4
8
7
6
5
Tip  
GND  
GND  
Ring  
Tip  
- good capacitance balance between lines in  
order to ensure longitudinalbalance.  
GND  
GND  
Ring  
- fixed breakdown voltage in both common and  
differentialmodes.  
- the same surge current capability in both  
common and differentialmodes.  
A particular attention has been given to the  
internalwire bonding.The”4-point”configuration  
-
ensures  
a
reliable protection, eliminating  
overvoltages introduced by the parasitic  
inductances of the wiring (Ldi/dt), especially for  
very fast transientovervoltages.  
COMPLIESWITHTHEFOLLOWINGSTANDARDS:  
CCITT K17 - K20  
VDE 0433  
VDE 0878  
CNET  
10/700 µs  
1.5 kV  
µ
5/310  
s
38  
A
10/700 µs  
2
50  
kV  
A
µ
µ
µs  
5/310  
s
1.2/50  
1/20  
s
1.5 kV  
40  
A
µ
0.5/700 s  
1.5 kV  
38  
0.2/310 µs  
A
TM: ASD is a trademark of SGS-THOMSON Microelectronics.  
November 1999 Ed : 3A  
1/7  
1234567

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TPI8011NRL 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
TPI8011N STMICROELECTRONICS

完全替代

 TRIPOLAR PROTECTION FOR ISDN INTERFACES
TISP7125F3P BOURNS

功能相似

 Silicon Surge Protector, 125V V(BO) Max, 5.7A, MS-001BA, PLASTIC, D008, MS-001, DIP-8
TISP7125F3DR BOURNS

功能相似

 MEDIUM & HIGH-VOLTAGE TRIPLE ELEMENT BIDIRECTIONAL THYRISTOR OVERVOLTAGE PROTECTORS

与TPI8011NRL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPI8011P STMICROELECTRONICS

获取价格

 		120V, 5A, SILICON SURGE PROTECTOR, PLASTIC, SO-8
TPI8012N STMICROELECTRONICS

获取价格

 		TRANSIENT SUPPRESSOR DIODE ARRAY,BIDIRECTIONAL,705V V(RWM),DIP
TPI8012P STMICROELECTRONICS

获取价格

 		120V, 5A, SILICON SURGE PROTECTOR, PLASTIC, SO-8
TPIA1NBUGRH GREATECS

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 		SPST THT Tactile Switches with LED
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