是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Active |
零件包装代码: | SSOP | 包装说明: | SOP, SOP24,.3,40 |
针数: | 24 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.39.00.01 |
风险等级: | 5.88 | 高边驱动器: | NO |
输入特性: | STANDARD | 接口集成电路类型: | BUFFER OR INVERTER BASED MOSFET DRIVER |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 | JESD-609代码: | e0 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 24 |
最高工作温度: | 110 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
标称输出峰值电流: | 20 A | 输出极性: | TRUE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | SOP |
封装等效代码: | SOP24,.3,40 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 电源: | 5,13 V |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | MOSFET Drivers |
最大供电电压: | 5.5 V | 最小供电电压: | 4.5 V |
标称供电电压: | 5 V | 电源电压1-最大: | 18 V |
电源电压1-分钟: | 8 V | 电源电压1-Nom: | 13 V |
表面贴装: | YES | 技术: | TTL |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | DUAL | 断开时间: | 100 µs |
接通时间: | 100 µs | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TPD70R2K8C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采 | |
TPD70R360M | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPD70R360MQ | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPD70R600M | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPD70R700C | WUXI UNIGROUP |
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超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采 | |
TPD70R700MFD | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPD70R950M | WUXI UNIGROUP |
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Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
TPD7100 | TOSHIBA |
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2 CH HIGH SIDE N CH POWER MOSFET GATE DRIVER | |
TPD7100F | TOSHIBA |
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2 CH HIGH SIDE N CH POWER MOSFET GATE DRIVER | |
TPD7101F | TOSHIBA |
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2 channel High-Side N-ch Power MOSFET Gate Driver |