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TPD65R4K3C

更新时间： 2024-04-09 18:58:56

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无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		/
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10页	577K
描述
超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采用基于电荷平衡的器件结构，导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率，目前国际上Infi

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TPD65R4K3C 数据手册

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Wuxi Unigroup Microelectronics Company

Typical Characteristics T_J= 25ºC, unless otherwise noted

Figure 1. Output Characteristics

Figure 2. Transfer Characteristics

2.5

V_DS= 10V

20V

10V

5.5V

T_J= 25ºC

1.5

4.5V

1.5

T_J= 150ºC

0.5

V_DS, Drain-to-Source Voltage (V)

V_GS, Gate-to-Source Voltage (V)

Figure 3. On-Resistance vs. Drain Current

Figure 4. Capacitance

5.5

10³

10²

V_GS= 10V

T_J= 25ºC

C_iss

4.5

C_oss

10¹

10⁰

C_rss

3.5

V_GS= 0

f = 1MHz

10^-1

0.5

1.5

2.5

I_D, Drain Current (A)

V_DS, Drain-to-Source Voltage (V)

Figure 5. Gate Charge

Figure 6. Body Diode Forward Voltage

10¹

T_J= 150ºC

V_DD= 120V

10⁰

10^-1

T_J= 25ºC

V_DD= 520V

10^-2

10^-3

0.2

0.4

0.6

0.8

1.2

Q_g, Total Gate Charge (nC)

V_SD, Source-to-Drain Voltage (V)

V3.0

www.tsinghuaicwx.com

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