5秒后页面跳转
TPD60R580C PDF预览

TPD60R580C

更新时间: 2024-04-09 18:59:45
品牌 Logo 应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP /
页数 文件大小 规格书
12页 741K
描述
超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率,目前国际上Infi

TPD60R580C 数据手册

 浏览型号TPD60R580C的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TPD60R580C的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TPD60R580C的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TPD60R580C的Datasheet PDF文件第7页浏览型号TPD60R580C的Datasheet PDF文件第8页浏览型号TPD60R580C的Datasheet PDF文件第9页 
TPP60R580C, TPA60R580C, TPU60R580C, TPD60R580C, TPC60R580C,TPB60R580C  
Wuxi Unigroup Microelectronics Company  
TO-220  
V3.0  
www.tsinghuaicwx.com  
6

与TPD60R580C相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPD60R600MFD WUXI UNIGROUP

获取价格

Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction
TPD60R700C WUXI UNIGROUP

获取价格

超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采
TPD60R7K5C WUXI UNIGROUP

获取价格

超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采
TPD60R840C WUXI UNIGROUP

获取价格

超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采
TPD62A12 ETC

获取价格

SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|82V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220
TPD62A18 STMICROELECTRONICS

获取价格

SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,82V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220
TPD62B12 ETC

获取价格

SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|75V V(BO) MAX|300MA I(S)|TO-220
TPD62B18 STMICROELECTRONICS

获取价格

SINGLE UNIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE,75V V(BO) MAX,300MA I(S),TO-220
TPD65R1K2C WUXI UNIGROUP

获取价格

超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采
TPD65R280D WUXI UNIGROUP

获取价格

超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采