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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> TPD3E001DRLR
TPD3E001DRLR PDF预览

TPD3E001DRLR

更新时间： 2024-11-24 02:59:15
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 瞬态抑制器二极管光电二极管PC局域网
页数 文件大小 规格书
11页 362K
描述
LOW-CAPACITANCE 3-CHANNEL 【15-kV ESD-PROTECTION ARRAY FOR HIGH-SPEED DATA INTERFACES

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TPD3E001DRLR 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active零件包装代码：SOD
包装说明：SOP-5针数：5
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：1.37Samacsys Confidence：3
Samacsys Status：ReleasedSamacsys PartID：5617
Samacsys Pin Count：5Samacsys Part Category：Integrated Circuit
Samacsys Package Category：SO Transistor Flat LeadSamacsys Footprint Name：DRL (R-PDS0-N5)
Samacsys Released Date：2015-07-01 00:00:00Is Samacsys：N
最小击穿电压：11 V击穿电压标称值：3.3 V
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码：R-PDSO-N5
JESD-609代码：e4湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：90 W元件数量：1
端子数量：5最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
认证状态：Not Qualified子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)端子形式：NO LEAD
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

TPD3E001DRLR 数据手册

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TPD3E001  
LOW-CAPACITANCE 3-CHANNEL ±15-kV ESD-PROTECTION ARRAY  
FOR HIGH-SPEED DATA INTERFACES  
www.ti.com  
SLLS683D–JULY 2006–REVISED APRIL 2007  
FEATURES  
APPLICATIONS  
•
•
•
•
•
•
•
USB 2.0  
Ethernet  
FireWire™  
Video  
Cell Phones  
SVGA Video Connections  
Glucosemeters  
•
ESD Protection Exceeds  
–
–
–
±15-kV Human-Body Model (HBM)  
±8-kV IEC 61000-4-2 Contact Discharge  
±15-kV IEC 61000-4-2 Air-Gap Discharge  
•
•
•
•
•
•
Low 1.5-pF Input Capacitance  
Low 1-nA (Max) Leakage Current  
Low 1-nA Supply Current  
0.9-V to 5.5-V Supply-Voltage Range  
3-Channel Device  
Space-Saving DRL, DRY, and QFN Package  
Options  
•
Alternate 2-, 4-, and 6-Channel Options  
Available: TPD2E001, TPD4E001, and  
TPD6E001  
DESCRIPTION/ORDERING INFORMATION  
The TPD3E001 is a low-capacitance ±15-kV ESD-protection diode array designed to protect sensitive  
electronics attached to communication lines. Each channel consists of a pair of diodes that steer ESD current  
pulses to VCC or GND. The TPD3E001 protects against ESD pulses up to ±15-kV Human-Body Model (HBM),  
±8-kV Contact Discharge, and ±15-kV Air-Gap Discharge, as specified in IEC 61000-4-2. This device has a  
1.5-pF capacitance per channel, making it ideal for use in high-speed data IO interfaces.  
The TPD3E001 is a triple-ESD structure designed for USB On-the-Go (OTG) and video applications.  
The TPD3E001 is available in DRL, DRY, and thin QFN packages and is specified for –40°C to 85°C operation.  
ORDERING INFORMATION  
TA  
PACKAGE(1)  
ORDERABLE PART NUMBER  
TPD3E001DRLR  
TOP-SIDE MARKING  
2BR  
1.6 × 1.6 SOP – DRL  
–40°C to 85°C  
1.45 × 1 SON – DRY  
3 × 3 QFN – DRS  
TPD3E001DRYR  
2B  
TPD3E001DRSR  
ZWL  
(1) For the most current package and ordering information, see the Package Option Addendum at the end of this document, or see the TI  
website at www.ti.com.  
DRY PACKAGE  
(TOP VIEW)  
DRL PACKAGE  
(TOP VIEW)  
QFN PACKAGE  
(TOP VIEW)  
VCC  
VCC  
N.C.  
IO3  
IO1  
IO2  
1
2
3
6
5
4
1
2
3
5
IO1  
IO2  
IO1  
IO2  
1
2
3
6
5
4
VCC  
N.C.  
IO3  
GND  
GND  
4
IO3  
GND  
GND  
N.C. - Not internally connected  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of Texas  
Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
FireWire is a trademark of Apple Computer, Inc.  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Copyright © 2006–2007, Texas Instruments Incorporated  
Products conform to specifications per the terms of the Texas  
Instruments standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
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TPD3E001DRLR 替代型号

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