TPB68

更新时间： 2024-02-02 14:47:38

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意法半导体 - STMICROELECTRONICS		触发装置硅浪涌保护器
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TPB68 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大转折电压：	90 V
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE
最大维持电流：	150 mA	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
通态非重复峰值电流：	50 A	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	LONG FORM
认证状态：	Not Qualified	重复峰值反向电压：	68 V
子类别：	Silicon Surge Protectors	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	AXIAL
触发设备类型：	SILICON SURGE PROTECTOR	Base Number Matches：	1

TPB68 数据手册

TPB SERIES

TEST CIRCUIT 1 FORI_BOandV_BOparameters:

= 20ms

Auto

Transformer

220V/2A

static

relay.

140

240

measure

out

D.U.T

measure

Transformer

220V/800V

TEST PROCEDURE :

Pulse Test duration (tp = 20ms):

- For Bidirectional devices = SwitchK is closed

- For Unidirectional devices = Switch K is open.

_OUTSelection

- Device with V_BO≤ 200 Volt

- V_OUT= 250 V_RMS, R₁= 140 Ω.

- Device with V_BO≥ 200 Volt

- V_OUT= 480 V_RMS, R₂= 240 Ω.

TEST CIRCUIT 2 for I_Hparameter

- V

D.U.T.

= - 48 V

BAT

Surge generator

This is a GO-NO GO test which allows to confirm the holding current (I_H) level in a functionaltest circuit.

TEST PROCEDURE :

- Adjust the current level at the I_Hvalue by short circuiting the D.U.T.

- Firethe D.U.T. with a surge current : I_pp= 10A, 10/1000 µs.

- The D.U.T. will come back to the off-statewithin 50 ms max.

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