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TPB68

更新时间： 2024-02-08 14:21:34
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 触发装置硅浪涌保护器
页数 文件大小 规格书
5页 56K
描述
TRISIL

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TPB68 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.84Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED最大转折电压：90 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
最大维持电流：150 mAJESD-30 代码：O-PALF-W2
通态非重复峰值电流：50 A元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
认证状态：Not Qualified重复峰值反向电压：68 V
子类别：Silicon Surge Protectors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

TPB68 数据手册

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TPB SERIES  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (Tamb = 25°C)  
Symbol  
Parameter  
Power dissipationon infinite heatsink  
Peak pulse current  
Value  
Unit  
W
P
Tamb = 50 °C  
5
IPP  
10/1000 µs  
8/20 µs  
2/10 µs  
100  
150  
500  
A
ITSM  
I2t  
Non repetitivesurge peak on-statecurrent  
I2t valuefor fusing  
tp = 20 ms  
tp = 20 ms  
VRM  
50  
25  
5
A
A2s  
dV/dt  
Critical rate of riseof off-state voltage  
kV/µs  
Storage temperaturerange  
Maximum junctiontemperature  
Tstg  
Tj  
- 55 to + 150  
150  
°C  
°C  
TL  
Maximum leadtemperature for soldering during 10s at 5mm for  
case  
230  
°C  
THERMAL RESISTANCES  
Symbol  
Parameter  
Value  
20  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Rth (j-l)  
Junctionto leads(Llead = 10mm)  
Rth (j-a)  
75  
Junction to ambient on printed circuit (Llead = 10 mm)  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
(Tamb = 25°C)  
Symbol  
VRM  
IRM  
VR  
Parameter  
Stand-offvoltage  
Leakagecurrent at stand-offvoltage  
ContinuousReverse voltage  
Breakdown voltage  
Breakovervoltage  
VBR  
VBO  
IH  
Holding current  
IBO  
Breakovercurrent  
IPP  
Peakpulse current  
Capacitance  
C
Type  
IRM @ VRM  
max.  
IR @ VR  
max.  
note1  
VBO @ IBO  
max.  
note2  
IH  
min.  
note3  
C
max.  
note4  
A
V
A
µ
V
V
mA  
mA  
pF  
µ
TPB62  
2
56  
61  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
62  
82  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
300  
300  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
200  
TPB68  
2
2
2
2
2
2
2
2
2
68  
90  
TPB100  
TPB120  
TPB130  
TPB180  
TPB200  
TPB220  
TPB240  
TPB270  
90  
100  
120  
130  
180  
200  
220  
240  
270  
133  
160  
173  
240  
267  
293  
320  
360  
108  
117  
162  
180  
198  
216  
243  
Note 1: IR measured at VR guarantees VBRmin ≥VR  
Note 3: See test circuit 2.  
Note 2:  
Note 4:  
Measured at 50 Hz (1 cycle) - See test circuit 1.  
R = 1V, F = 1MHz, refer to fig.3 for C versus VR .  
V
2/5  
12345

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与TPB68相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TPB68A-12-RL STMICROELECTRONICS

获取价格

 		90V, 50A, SILICON SURGE PROTECTOR, PLASTIC, CB429, 2 PIN
TPB68A-18 STMICROELECTRONICS

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 		90V, 50A, SILICON SURGE PROTECTOR, PLASTIC, CB429, 2 PIN
TPB68A-18-RL STMICROELECTRONICS

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 		90V, 50A, SILICON SURGE PROTECTOR, PLASTIC, CB429, 2 PIN
TPB68B-12-RL STMICROELECTRONICS

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 		82V, 50A, SILICON SURGE PROTECTOR, PLASTIC, CB429, 2 PIN
TPB68B-18 STMICROELECTRONICS

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 		82V, 50A, SILICON SURGE PROTECTOR, PLASTIC, CB429, 2 PIN
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 		82V, 50A, SILICON SURGE PROTECTOR, PLASTIC, CB429, 2 PIN
TPB68RL ETC

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 		SINGLE BIDIRECTIONAL BREAKOVER DIODE|90V V(BO) MAX|800MA I(S)|AXIAL-10
TPB70R120M WUXI UNIGROUP

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 		Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction
TPB70R135MFD WUXI UNIGROUP

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 		Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction
TPB70R360M WUXI UNIGROUP

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