是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP | 包装说明: | TSOP2, TSOP24/26,.36 |
针数: | 26/24 | Reach Compliance Code: | not_compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.02 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | FAST PAGE |
最长访问时间: | 70 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH/BATTERY BACKUP/SELF REFRESH |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 |
长度: | 17.14 mm | 内存密度: | 16777216 bit |
内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 4194304 words |
字数代码: | 4000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 4MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP24/26,.36 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 2048 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.0002 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.09 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TMS427400P-70DJ | TI |
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4MX4 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
TMS427400P-80DGA | TI |
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4MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO24, PLASTIC, TSOP-26/24 | |
TMS427400P-80DGB | TI |
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4MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO24, PLASTIC, REVERSE, TSOP-26/24 | |
TMS427400P-80DJ | TI |
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4MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
TMS427400PDGA-60 | TI |
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4MX4 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO24, PLASTIC, TSOP-26/24 | |
TMS427400PDGA-70 | TI |
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4MX4 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO24, PLASTIC, TSOP-26/24 | |
TMS427400PDJ-60 | TI |
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4MX4 FAST PAGE DRAM, 60ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
TMS427400PDJ-70 | TI |
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4MX4 FAST PAGE DRAM, 70ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
TMS427400PDJ-80 | TI |
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4MX4 FAST PAGE DRAM, 80ns, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24 | |
TMS427409A | NSC |
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4194304 BY 4-BIT EXTENDED DATA OUT DYNAMIC RANDOM-ACCESS MEMORIES |