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TMS416809-70DZ

更新时间： 2024-11-15 15:54:51
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
28页 394K
描述
2MX8 EDO DRAM, 70ns, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-28

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TMS416809-70DZ 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOJ
包装说明：SOJ,针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.02风险等级：5.5
访问模式：FAST PAGE WITH EDO最长访问时间：70 ns
其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHJESD-30 代码：R-PDSO-J28
长度：18.415 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：EDO DRAM内存宽度：8
功能数量：1端口数量：1
端子数量：28字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：2MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOJ
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
认证状态：Not Qualified刷新周期：4096
座面最大高度：3.76 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

TMS416809-70DZ 数据手册

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TMS416809, TMS417809  
2097152-WORD BY 8-BIT HIGH-SPEED DRAMS  
SMKS885A – DECEMBER 1995 – REVISED MARCH 1996  
DZ PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Organization . . . 2097152 × 8  
Single 5 V Power Supply (±10% Tolerance)  
Performance Ranges:  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
V
V
SS  
ACCESS ACCESS ACCESS  
TIME TIME TIME  
EDO  
CYCLE  
CC  
2
DQ0  
DQ1  
DQ2  
DQ3  
W
DQ7  
DQ6  
DQ5  
DQ4  
CAS  
OE  
A9  
t
t
t
t
RAC  
CAC  
AA  
HPC  
3
MAX  
60 ns  
70 ns  
80 ns  
MAX  
15 ns  
18 ns  
20 ns  
MAX  
30 ns  
35 ns  
40 ns  
MIN  
4
’41x809-60  
’41x809-70  
’41x809-80  
25 ns  
30 ns  
35 ns  
5
6
7
Extended Data Out (EDO) Operation  
CAS-Before-RAS (CBR) Refresh  
High-Impedance State Unlatched Output  
High-Reliability Plastic 28-Lead (DZ Suffix)  
400-Mil-Wide Surface-Mount Small-Outline  
J-Lead (SOJ) Package  
RAS  
†
8
A11  
9
A10  
A0  
A1  
A2  
A3  
A8  
10  
11  
12  
13  
14  
A7  
A6  
A5  
A4  
Operating Free-Air Temperature Range  
0°C to 70°C  
V
V
SS  
CC  
Fabricated Using Enhanced Performance  
Implanted CMOS (EPIC ) Technology by  
Texas Instruments (TI )  
†
A11 is NC (no internal connection) for TMS417809.  
PIN NOMENCLATURE  
AVAILABLE OPTIONS  
A0–A11  
DQ0–DQ7  
CAS  
NC  
OE  
Address Inputs  
POWER  
SUPPLY  
REFRESH  
CYCLES  
Data In/Data Out  
Column-Address Strobe  
No Internal Connection  
Output Enable  
DEVICE  
TMS416809  
TMS417809  
5 V  
5 V  
4096 in 64 ms  
2048 in 32 ms  
RAS  
Row-Address Strobe  
5 V Supply  
Ground  
‡
V
description  
CC  
V
SS  
W
Write Enable  
The TMS41x809 series is a set of high-speed,  
16777216-bit dynamic random-access memo-  
ries (DRAMs) organized as 2097152 words of  
eight bits each. It employs TI’s state-of-the-art  
EPIC technology for high performance, reliability,  
and low power.  
‡
See Available Options Table.  
These devices feature maximum RAS access  
timesof60ns, 70ns, and80ns. Alladdressesand  
data-in lines are latched on chip to simplify system  
design. Data out is unlatched to allow greater  
system flexibility.  
The TMS41x809 is offered in a 28-lead plastic  
surface-mount SOJ package (DZ suffix). This  
package is characterized for operation from 0°C  
to 70°C.  
Please be aware that an important notice concerning availability, standard warranty, and use in critical applications of  
Texas Instruments semiconductor products and disclaimers thereto appears at the end of this data sheet.  
EPIC and TI are trademarks of Texas Instruments Incorporated.  
Copyright 1996, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 1443 • HOUSTON, TEXAS 77251–1443  
1234567...28

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TMS417400 TI

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 		4194304-WORD BY 4-BIT HIGH-SPEED DRAMS
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