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TMS28F200BZB90BDBJQ

更新时间: 2024-11-16 20:14:23
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德州仪器 - TI 可编程只读存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
29页 681K
描述
256KX8 FLASH 12V PROM, 90ns, PDSO44

TMS28F200BZB90BDBJQ 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOP, SOP44,.63Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.88Is Samacsys:N
最长访问时间:90 ns其他特性:CAN BE ORGANIZED AS 128K X 16; BOTTOM BOOT BLOCK
备用内存宽度:8启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES数据轮询:NO
耐久性:10000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDSO-G44
长度:28.2 mm内存密度:2097152 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:1,2,1,1
端子数量:44字数:262144 words
字数代码:256000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:125 °C最低工作温度:-40 °C
组织:256KX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOP封装等效代码:SOP44,.63
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:2.63 mm
部门规模:16K,8K,96K,128K最大待机电流:0.000008 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.065 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:AUTOMOTIVE
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO类型:NOR TYPE
宽度:13.3 mmBase Number Matches:1

TMS28F200BZB90BDBJQ 数据手册

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