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TMS28F010A-12C3DUE

更新时间: 2024-01-08 14:03:49
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21页 729K
描述
x8 Flash EEPROM

TMS28F010A-12C3DUE 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.45Is Samacsys:N
最长访问时间:120 ns其他特性:1000 PROGRAM/ERASE CYCLES
命令用户界面:YES数据轮询:NO
耐久性:1000 Write/Erase CyclesJESD-30 代码:R-PDIP-T32
长度:41.4 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C组织:128KX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装等效代码:DIP32,.6
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:5 V编程电压:12 V
认证状态:Not Qualified座面最大高度:5.08 mm
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.03 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:MOS
温度等级:AUTOMOTIVE端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED切换位:NO
类型:NOR TYPE宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

TMS28F010A-12C3DUE 数据手册

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