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TMS27C512-120JE

更新时间: 2024-11-26 19:44:47
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 可编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 1400K
描述
UVPROM, 64KX8, 120ns, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, WINDOWED, CERAMIC, DIP-28

TMS27C512-120JE 技术参数

生命周期:Contact Manufacturer包装说明:DIP,
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.61
Is Samacsys:N最长访问时间:120 ns
JESD-30 代码:R-GDIP-T28内存密度:524288 bit
内存集成电路类型:UVPROM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:28
字数:65536 words字数代码:64000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:64KX8
封装主体材料:CERAMIC, GLASS-SEALED封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL座面最大高度:4.907 mm
最大供电电压 (Vsup):5.25 V最小供电电压 (Vsup):4.75 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:INDUSTRIAL
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL宽度:15.24 mm
Base Number Matches:1

TMS27C512-120JE 数据手册

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