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TM497FBK32I-50

更新时间： 2024-01-27 16:03:38

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德州仪器 - TI		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	168K
描述
4MX32 EDO DRAM MODULE, 50ns, QMA72, SIMM-72

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TM497FBK32I-50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	QMA
包装说明：	SIMM, SSIM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XQMA-N72	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SSIM72	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	25.4 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.04 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
Base Number Matches：	1

TM497FBK32I-50 数据手册

A0 – A10

RAS0

RAS2

CAS2

CAS3

CAS0

CAS1

4 M × 4

A0 – A10

RAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ16–

DQ19

DQ24–

DQ27

DQ0 –

DQ3

DQ8–

DQ11

DQ1 –

DQ4

4 M × 4

A0 – A10

RAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

4 M × 4

A0–A10

RAS

CAS

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ1–

DQ4

DQ20–

DQ23

DQ28–

DQ31

DQ4–

DQ7

DQ12–

DQ15

DQ1 –

DQ4

Figure 1. Functional Block Diagram of TM497FBK32

1 2 3 456 7 8...12

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