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TLP632(F)

更新时间： 2024-11-25 17:56:03

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东芝 - TOSHIBA		输出元件光电
页数	文件大小	规格书
9页	382K
描述
PHOTOCPLR AD/DC IN TRANSOUT 6DIP

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TLP632(F) 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	End Of Life
包装说明：	DIP-6	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	6.88	其他特性：	UL RECOGNIZED
Coll-Emtr Bkdn Voltage-Min：	55 V	配置：	SINGLE
当前传输比率-最小值：	50%	标称电流传输比：	50%
最大暗电源：	100 nA	最大正向电流：	0.025 A
最大正向电压：	1.3 V	最大绝缘电压：	5000 V
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	元件数量：	1
最大通态电流：	0.05 A	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-25 °C	光电设备类型：	TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
最大功率耗散：	0.15 W	子类别：	Optocoupler - Transistor Outputs
表面贴装：	NO	Base Number Matches：	1

TLP632(F) 数据手册

TLP631,TLP632

TOSHIBA Photocoupler GaAs IRed & Photo-Transistor

TLP631, TLP632

Programmable Controllers

Unit: mm

AC/DC-Input Module

Solid State Relay

The TOSHIBA TLP631 and TLP632 consist of a photo-transistor

optically coupled to a gallium arsenide infrared emitting diode in a

six lead plastic DIP.

TLP632 has no-base internal connection for high-EMI environments.

•

Collector-emitter voltage: 55 V (min)

Current transfer ratio: 50% (min)

Rank GB: 100% (min)

•

Isolation voltage: 5000 Vrms (min)

UL recognized: UL1577, file no. E67349

cUL approved : CSA Component Acceptance Service

No. 5A, File No.E67349

TOSHIBA

11-7A8

Weight: 0.4 g (typ.)

Pin Configurations (top view)

TLP631

TLP632

1: Anode

2: Cathode

3: N.C.

2: Cathode

3: N.C.

4: Emitter

5: Collector

6: Base

4: Emitter

5: Collector

6: N.C

Start of commercial production

1983-05

2017-05-17

12 3 4 5 6 7...9

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