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TLP200D

更新时间: 2024-09-25 22:42:07
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 259K
描述
TOSHIBA PHOTOCOUPLER GaAs IRED & PHOTO-MOS FET

TLP200D 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:SOP-8Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.42其他特性:UL RECOGNIZED
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最大正向电流:0.025 A
最大绝缘电压:1500 V元件数量:2
最大通态电流:0.13 A最大通态电阻:8 Ω
最高工作温度:65 °C最低工作温度:-20 °C
光电设备类型:TRANSISTOR OUTPUT SSRBase Number Matches:1

TLP200D 数据手册

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