5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 8 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.62 |
| Is Samacsys： | N | 放大器类型： | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 最大平均偏置电流 (IIB)： | 0.002 µA | 标称共模抑制比： | 82 dB |
| 最大输入失调电压： | 5900 µV | JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 |
| 长度： | 6.2 mm | 负供电电压上限： | -19 V |
| 标称负供电电压 (Vsup)： | -5 V | 功能数量： | 2 |
| 端子数量： | 8 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 座面最大高度： | 2 mm |
| 标称压摆率： | 3.4 V/us | 子类别： | Operational Amplifier |
| 供电电压上限： | 19 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | BIFET |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 标称均一增益带宽： | 1300 kHz | 宽度： | 5.3 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| TLE2062ID | TI |
获取价格 |
EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TLE2062IDG4 | TI |
获取价格 |
EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TLE2062IDR | TI |
获取价格 |
EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TLE2062IDRG4 | TI |
获取价格 |
EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TLE2062IP | TI |
获取价格 |
EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TLE2062IPE4 | TI |
获取价格 |
EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TLE2062M | TI |
获取价格 |
双路、36V、2MHz 运算放大器 |
|
| TLE2062MD | TI |
获取价格 |
EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
| TLE2062M-D | TI |
获取价格 |
采用 SOIC-8 封装的军用级、双路、36V、2MHz、输入接近 V+、JFET 输入运 |
|
| TLE2062MDG4 | TI |
获取价格 |
EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
