是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DIP-14 | 针数: | 14 |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.22 |
Is Samacsys: | N | 放大器类型: | OPERATIONAL AMPLIFIER |
最大平均偏置电流 (IIB): | 0.002 µA | 标称共模抑制比: | 82 dB |
最大输入失调电压: | 6900 µV | JESD-30 代码: | R-PDIP-T14 |
JESD-609代码: | e4 | 长度: | 19.305 mm |
湿度敏感等级: | NOT APPLICABLE | 负供电电压上限: | -19 V |
标称负供电电压 (Vsup): | -5 V | 功能数量: | 4 |
端子数量: | 14 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | |
封装代码: | DIP | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
座面最大高度: | 5.08 mm | 标称压摆率: | 3.4 V/us |
子类别: | Operational Amplifier | 供电电压上限: | 19 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | BIFET | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | NICKEL PALLADIUM GOLD | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 标称均一增益带宽: | 1300 kHz |
宽度: | 7.62 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
TLE2064ACNE4 | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLE2064AID | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLE2064AID | ROCHESTER |
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QUAD OP-AMP, 7300uV OFFSET-MAX, 1.3MHz BAND WIDTH, PDSO14, GREEN, PLASTIC, SOIC-14 | |
TLE2064AIDG4 | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLE2064AIDR | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLE2064AIDRG4 | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE uPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLE2064AIN | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS | |
TLE2064AM | TI |
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军用级、四路、36V、2MHz、输入接近 V+、1.5mV 失调电压、JFET 输入运算放 | |
TLE2064AMD | ROCHESTER |
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QUAD OP-AMP, 8000uV OFFSET-MAX, 1.3MHz BAND WIDTH, PDSO14, PLASTIC, SOIC-14 | |
TLE2064AMD | TI |
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EXCALIBUR JFET-INPUT HIGH-OUTPUT-DRIVE mPOWER OPERATIONAL AMPLIFIERS |