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TLC139MDR PDF预览

TLC139MDR

更新时间： 2024-11-30 15:54:27
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 放大器光电二极管
页数 文件大小 规格书
30页 1009K
描述
QUAD COMPARATOR, 10000uV OFFSET-MAX, 2500ns RESPONSE TIME, PDSO14

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TLC139MDR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
针数：14Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.39.00.01
风险等级：5.75放大器类型：COMPARATOR
最大平均偏置电流 (IIB)：0.03 µA最大输入失调电压：10000 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G14长度：8.65 mm
功能数量：4端子数量：14
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-55 °C
输出类型：OPEN-DRAIN封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE认证状态：Not Qualified
标称响应时间：2500 ns座面最大高度：1.75 mm
最大压摆率：0.175 mA供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：MILITARY
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL宽度：3.9 mm
Base Number Matches：1

TLC139MDR 数据手册

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SLCS119B − DECEMBER 1986 − REVISED DECEMBER 2006  
D, J, N, OR PW PACKAGE  
(TOP VIEW)  
D
D
D
Very Low Power . . . 200 µW Typ at 5 V  
Fast Response Time . . . 2.5 µs Typ With  
5-mV Overdrive  
1OUT  
2OUT  
3OUT  
4OUT  
GND  
4IN+  
4IN−  
3IN+  
3IN−  
1
2
3
4
5
6
7
14  
13  
12  
11  
10  
9
Single Supply Operation:  
TLC139M . . . 4 V to 16 V  
TLC339M . . . 4 V to 16 V  
TLC339C . . . 3 V to 16 V  
TLC339I . . . 3 V to 16 V  
V
DD  
2IN−  
2IN+  
1IN−  
1IN+  
12  
D
D
High Input Impedance . . . 10 Ω Typ  
8
Input Offset Voltage Change at Worst Case  
Input at Condition Typically 0.23 µV/Month  
Including the First 30 Days  
FK PACKAGE  
(TOP VIEW)  
D
On-Chip ESD Protection  
description  
3
4
2
1
20 19  
18  
GND  
V
The  
TLC139/TLC339  
consists  
of  
four  
DD  
NC  
NC  
independent differential-voltage comparators  
designed to operate from a single supply. It is  
functionally similar to the LM139/LM339 family but  
uses 1/20th the power for similar response times.  
The open-drain MOS output stage interfaces to a  
variety of leads and supplies, as well as wired  
logic functions. For a similar device with a  
push-pull output configuration, see the TLC3704  
data sheet.  
17  
16  
15  
14  
5
4IN+  
NC  
2IN−  
NC  
6
7
8
4IN−  
2IN+  
9 10 11 12 13  
NC − No internal connection  
The Texas Instruments LinCMOSprocess offers  
superior analog performance to standard CMOS  
processes. Along with the standard CMOS  
advantages of low power without sacrificing  
speed, high input impedance, and low bias  
currents, the LinCMOSprocess offers  
extremely stable input offset voltages, even with  
differential input stresses of several volts. This  
characteristic makes it possible to build reliable  
CMOS comparators.  
symbol (each comparator)  
IN+  
IN−  
OUT  
AVAILABLE OPTIONS  
PACKAGE  
V
IO  
SMALL  
OUTLINE  
(D)  
CHIP CARRIER  
(FK)  
CERAMIC DIP  
(J)  
PLASTIC DIP  
(P)  
TSSOP  
(PW)  
T
A
max AT  
25°C  
0°C to 70°C  
−40°C to 85°C  
−40°C to 125°C  
−55°C to 125°C  
5 mV  
5 mV  
5 mV  
5 mV  
TLC339CD  
TLC339ID  
TLC339QD  
TLC339MD  
—
—
TLC339CN  
TLC339IN  
TLC339QN  
TLC339MN  
TLC339CPW  
—
—
—
—
TLC339IPW  
—
—
TLC139MFK  
TLC139MJ  
The D and PW packages are available taped and reeled. Add the suffix R to the device type (e.g., TLC339CDR or TLC339CPWR).  
LinCMOS is a trademark of Texas Instruments Incorporated.  
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Copyright 1991−2004, Texas Instruments Incorporated  
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1
WWW.TI.COM  
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