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TL5812N

更新时间： 2024-11-28 21:14:19
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 驱动信息通信管理光电二极管接口集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 117K
描述
Vacuum Fluorescent Display Drivers 28-PDIP

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TL5812N 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：DIP, DIP28,.6
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.39.00.01风险等级：5.45
数据输入模式：SERIAL显示模式：DOT MATRIX
输入特性：STANDARD接口集成电路类型：VACUUM FLUORESCENT DISPLAY DRIVER
JESD-30 代码：R-PDIP-T28长度：36.32 mm
复用显示功能：NO功能数量：1
区段数：20端子数量：28
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
输出特性：TOTEM-POLE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装等效代码：DIP28,.6封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：5/15, 60 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.08 mm子类别：Display Drivers
最大压摆率：4 mA最大供电电压：15 V
最小供电电压：4.5 V标称供电电压：5 V
电源电压1-最大：60 V电源电压1-分钟：
表面贴装：NO技术：BICMOS
温度等级：COMMERCIAL端子形式：THROUGH-HOLE
端子节距：2.54 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：15.24 mm
Base Number Matches：1

TL5812N 数据手册

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TL5812, TL5812l  
VACUUM FLUORESCENT DISPLAY DRIVERS  
SLDS011B – OCTOBER 1985 – REVISED MAY 1993  
N PACKAGE  
(TOP VIEW)  
Drives up to 20 Lines  
70-V Output Voltage Swing Capability  
40-mA Output Source Current Capability  
High-Speed Serially-Shifted Data Input  
CMOS-Compatible Inputs  
V
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
V
CC2  
CC1  
SERIAL DATA OUT  
2
DATA IN  
Q1  
Q2  
Q3  
Q4  
Q5  
Q6  
Q7  
Q20  
Q19  
Q18  
Q17  
Q16  
Q15  
Q14  
Q13  
Q12  
3
Direct Replacement for Sprague UCN5812A  
4
5
description  
6
7
†
TheTL5812andTL5812IaremonolithicBIDFET  
integrated circuits designed to drive a dot matrix  
or segmented vacuum fluorescent display (VFD).  
Each device features a serial data output to  
cascade additional devices for large display  
arrays.  
8
9
10  
11  
12  
13  
14  
Q8  
Q9  
Q10  
Q11  
BLANKING  
GND  
LATCH ENABLE (STROBE)  
CLOCK  
A 20-bit data word is serially loaded into the shift  
register on the low-to-high transition of CLOCK.  
Parallel data is transferred to the output buffers  
through a 20-bit D-type latch while LATCH  
ENABLE is high and is latched when LATCH  
ENABLE is low. When BLANKING is high, all  
outputs are low.  
FN PACKAGE  
(TOP VIEW)  
The outputs are totem-pole structures formed by  
npn emitter-follower and double-diffused MOS  
(DMOS) transistors with output voltage ratings of  
70 V and a source-current capability of 40 mA. All  
inputs are CMOS compatible.  
4
3
2 1 28 27 26  
The TL5812 is characterized for operation from  
0°C to 70°C. The TL5812I is characterized for  
operation from –40°C to 85°C.  
5
25 Q2  
Q18  
6
24  
23  
22  
21  
20  
19  
Q3  
Q4  
Q5  
Q6  
Q7  
Q8  
Q17  
7
Q16  
8
Q15  
9
Q14  
10  
Q13  
11  
Q12  
12 13 14 15 16 17 18  
†BIDFET – Bipolar, double-diffused, N-channel and P-channel MOS transistors on same chip. This is a patented process.  
Copyright 1993, Texas Instruments Incorporated  
PRODUCTION DATA information is current as of publication date.  
Products conform to specifications per the terms of Texas Instruments  
standard warranty. Production processing does not necessarily include  
testing of all parameters.  
1
POST OFFICE BOX 655303 • DALLAS, TEXAS 75265  
12345678

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与TL5812N相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TL5812N-10 TI

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TL58VF100Q E-SWITCH

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