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TK16V60W

更新时间： 2024-11-29 20:00:47

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		双极性晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	250K
描述
Transistors (Bipolar/MOSFETs/IGBTs) - MOSFETs - Power MOSFET - Nch 500V<VDSS≤700V

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TK16V60W 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DFN, 4 PIN
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
雪崩能效等级（Eas）：	179 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	15.8 A	最大漏极电流 (ID)：	15.8 A
最大漏源导通电阻：	0.19 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	S-PSSO-N4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	SQUARE	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	139 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	63.2 A	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

TK16V60W 数据手册

TK16V60W

MOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)

TK16V60W

1. Applications

•

Switching Voltage Regulators

2. Features

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.16 Ω (typ.)

by used to Super Junction Structure : DTMOS

(2) Easy to control Gate switching

(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.79 mA)

3. Packaging and Internal Circuit

1: Gate

2: Source1

3,4: Source2

5: Drain (Heatsink)

Notice:

Please use the source1 pin for

gate input signal return. Make

sure that the main current flows

into the source2 pins.

DFN8x8

4. Absolute Maximum Ratings (Note) (Ta = 25 unless otherwise specified)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Drain current (DC)

Drain current (pulsed)

Power dissipation

VDSS

VGSS

600

±30

(Note 1)

15.8

63.2

139

IDP

(Tc = 25)

Single-pulse avalanche energy

Avalanche current

(Note 2)

EAS

IAR

179

Reverse drain current (DC)

Reverse drain current (pulsed)

Channel temperature

(Note 1)

IDR

15.8

63.2

150

IDRP

Tch



Storage temperature

Tstg

-55 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

("Handling Precautions"/"Derating Concept and Methods") and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2013-06-07

Rev.1.0

12 3 4 5 6 7...10

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与TK16V60W相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TK16V60W5	TOSHIBA	获取价格	N-ch MOSFET, 600 V, 0.245 Ω@10V, DFN 8 x 8, D
TK17010	TOKO	获取价格	LOW VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIER
TK17010M	TOKO	获取价格	LOW VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIER
TK17010MTL	TOKO	获取价格	LOW VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIER
TK17010MTL/U0	TOKO	获取价格	LOW VOLTAGE OPERATIONAL AMPLIFIER
TK17011M	TOKO	获取价格	TK17011M
TK17013S	TOKO	获取价格	Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO5, SOT-23, 5 PIN
TK17020M	TOKO	获取价格	Operational Amplifier, 2 Func, 20000uV Offset-Max, PDSO8, SOT-23, SMT-8
TK17020MTL	TOKO	获取价格	Operational Amplifier, 2 Func, 20000uV Offset-Max, PDSO8, SOT-23, SMT-8
TK17021F	TOKO	获取价格	Operational Amplifier, 2 Func, 6000uV Offset-Max, BIPolar, PDSO8, SON-8

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