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TK15J60T

更新时间： 2024-10-02 19:53:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 214K
描述
TRANSISTOR 15 A, 600 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-16C1B, SC-65, 3 PIN, FET General Purpose Power

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TK15J60T 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SC-65
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.3
雪崩能效等级（Eas）：118 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.3 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

TK15J60T 数据手册

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TK15J60T  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOS)  
TK15J60T  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
Ф3.2±0.2  
15.9max.  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
= 0.24 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 9.5 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
Enhancement-mode: V = 3.0 to 5.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
2.0±0.3  
＋0.3  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
1.0  
－0.25  
V
V
600  
±30  
15  
V
V
DSS  
5.45±0.2  
5.45±0.2  
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
30  
DP  
1
2
3
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
170  
W
1. Gate  
2. Drain(heat sink)  
3. Source  
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
118  
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
⎯
Avalanche current  
I
15  
17  
A
JEITA  
SC-65  
2-16C1B  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
TOSHIBA  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
-55 to 150  
Weight : 4.6 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/’’Derating Concept and Methods’’) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
0.735  
50  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25 °C (initial), L = 0.92 mH, R = 25 Ω, I = 15 A  
V
DD  
1
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
3
1
2011-05-06  
123456

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