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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TK15X60U
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TK15X60U

更新时间： 2024-01-23 21:06:40
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 201K
描述
Switching Regulator Applications

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TK15X60U 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.38雪崩能效等级（Eas）：81 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：15 A
最大漏极电流 (ID)：15 A最大漏源导通电阻：0.31 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-F4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：FLAT
端子位置：DUAL晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TK15X60U 数据手册

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TK15X60U  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)  
TK15X60U  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 8.5 S (typ.)  
= 0.25 Ω (typ.)  
DS (ON)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
Enhancement-mode: V = 3.0 to 5.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
V
600  
±30  
15  
V
V
DSS  
Gate-source voltage  
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
30  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
125  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
81  
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
JEITA  
⎯
⎯
Avalanche current  
I
11  
12.5  
A
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
TOSHIBA  
2-9F1C  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Weight : 0.74 g (typ.)  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in temperature, etc.) may cause this product to  
decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Thermal resistance, channel to case  
Symbol  
Max  
1.0  
Unit  
4
R
°C/W  
th (ch-c)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 1.17 mH, R = 25 Ω, I = 11 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
1
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
3
1
2010-08-20  
123456

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