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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> TK15D60U
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TK15D60U

更新时间： 2024-01-05 14:31:20
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 198K
描述
Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)

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TK15D60U 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SFM
包装说明：TO-220(W), 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.82
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：81 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：15 A
最大漏源导通电阻：0.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TK15D60U 数据手册

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TK15D60U  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (DTMOSⅡ)  
TK15D60U  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
10.0±0.3  
9.5±0.2  
A
0.6±0.1  
•
•
•
•
Low drain-source ON-resistance: R  
High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 8.5 S (typ.)  
= 0.24 Ω (typ.)  
DS (ON)  
Ф3.65±0.2  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 3.0 to 5.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
1.1±0.15  
0.75±0.25  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
0.62±0.15  
Ф0.2 M  
V
V
600  
±30  
15  
V
V
DSS  
A
+0.25  
0.57  
Gate-source voltage  
GSS  
2.54  
2.54  
-0.10  
2.53±0.2  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (t = 1 ms)  
I
30  
170  
81  
DP  
(Note 1)  
1
2
3
1. Gate  
2. Drain (heatsink)  
3. Source  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
⎯
⎯
Avalanche current  
(Note 3)  
I
15  
17  
A
JEITA  
Repetitive avalanche energy  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
TOSHIBA  
2-10V1A  
T
150  
ch  
Weight : 1.35 g (typ.)  
Storage temperature range  
T
−55 to 150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even  
if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings. Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability  
Handbook (“Handling Precautions”/’’Derating Concept and Methods’’) and individual reliability data (i.e.  
reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
2
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
0.735  
83.3  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 0.63 mH, R = 25 Ω, I = 15 A  
AR  
1
V
DD  
ch  
G
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
3
1
2008-07-02  
123456

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