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TIP29TU

更新时间： 2024-10-01 21:07:55
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 局域网开关晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 121K
描述
Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin, TO-220, 3 PIN

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TIP29TU 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SFM包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.05最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：40 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：30 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：3 MHzBase Number Matches：1

TIP29TU 数据手册

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TIP29 Series(TIP29/29A/29B/29C)  
Medium Power Linear Switching Applications  
•
Complementary to TIP30/30A/30B/30C  
TO-220  
1.Base 2.Collector 3.Emitter  
1
NPN Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Base Voltage : TIP29  
40  
60  
80  
V
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
: TIP29A  
: TIP29B  
: TIP29C  
100  
Collector-Emitter Voltage : TIP29  
40  
60  
80  
V
V
V
V
: TIP29A  
: TIP29B  
: TIP29C  
100  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
Collector Current (Pulse)  
Base Current  
5
V
A
I
I
I
1
C
3
A
CP  
B
0.4  
A
P
Collector Dissipation (T =25°C)  
30  
2
W
W
°C  
°C  
C
C
Collector Dissipation (T =25°C)  
a
T
T
Junction Temperature  
Storage Temperature  
150  
J
- 65 ~ 150  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
C
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
V
(sus)  
*Collector-Emitter Sustaining Voltage  
CEO  
: TIP29  
I
= 30mA, I = 0  
40  
60  
80  
V
V
V
V
C
B
: TIP29A  
: TIP29B  
: TIP29C  
100  
I
Collector Cut-off Current  
: TIP29/29A  
CEO  
V
V
= 30V, I = 0  
0.3  
0.3  
mA  
mA  
CE  
CE  
B
: TIP29B/29C  
= 60V, I = 0  
B
I
Collector Cut-off Current  
: TIP29  
CES  
V
V
V
V
= 40V, V = 0  
200  
200  
200  
200  
µA  
µA  
µA  
µA  
CE  
CE  
CE  
CE  
EB  
: TIP29A  
: TIP29B  
: TIP29C  
= 60V, V = 0  
EB  
= 80V, V = 0  
EB  
= 100V, V = 0  
EB  
I
Emitter Cut-off Current  
*DC Current Gain  
V
= 5V, I = 0  
1.0  
mA  
EBO  
EB  
C
h
V
V
= 4V, I = 0.2A  
40  
15  
FE  
CE  
CE  
C
= 4V, I = 1A  
75  
0.7  
1.3  
C
V
V
(sat)  
*Collector-Emitter Saturation Voltage  
*Base-Emitter Saturation Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
I
= 1A, I = 125mA  
V
V
CE  
BE  
C
B
(sat)  
V
V
= 4V, I = 1A  
C
CE  
CE  
f
= 10V, I = 200mA  
3.0  
MHz  
T
C
* Pulse Test: PW≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2001 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A1, June 2001  
1234567

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