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TIP29C PDF预览

TIP29C

更新时间： 2024-11-28 22:49:51
品牌 Logo 应用领域
POINN 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 89K
描述
NPN SILICON POWER TRANSISTORS

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TIP29C 技术参数

生命周期：Transferred包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.59
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：1 A
集电极-发射极最大电压：100 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：15JEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

TIP29C 数据手册

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TIP29, TIP29A, TIP29B, TIP29C  
NPN SILICON POWER TRANSISTORS  
Copyright © 1997, Power Innovations Limited, UK  
JULY 1968 - REVISED MARCH 1997  
●
Designed for Complementary Use with the  
TIP30 Series  
TO-220 PACKAGE  
(TOP VIEW)  
●
●
●
●
30 W at 25°C Case Temperature  
1 A Continuous Collector Current  
3 A Peak Collector Current  
1
2
3
B
C
E
Customer-Specified Selections Available  
Pin 2 is in electrical contact with the mounting base.  
MDTRACA  
absolute maximum ratings at 25°C case temperature (unless otherwise noted)  
RATING  
SYMBOL  
VALUE  
UNIT  
TIP29  
80  
TIP29A  
TIP29B  
TIP29C  
TIP29  
100  
Collector-base voltage (IE = 0)  
Collector-emitter voltage (IB = 0)  
VCBO  
V
120  
140  
40  
TIP29A  
TIP29B  
TIP29C  
60  
VCEO  
V
80  
100  
Emitter-base voltage  
VEBO  
IC  
ICM  
IB  
5
V
A
Continuous collector current  
Peak collector current (see Note 1)  
Continuous base current  
1
3
A
0.4  
A
Continuous device dissipation at (or below) 25°C case temperature (see Note 2)  
Continuous device dissipation at (or below) 25°C free air temperature (see Note 3)  
Unclamped inductive load energy (see Note 4)  
Ptot  
Ptot  
30  
W
W
mJ  
°C  
°C  
°C  
2
2
½LIC  
32  
Operating junction temperature range  
Tj  
Tstg  
TL  
-65 to +150  
-65 to +150  
250  
Storage temperature range  
Lead temperature 3.2 mm from case for 10 seconds  
NOTES: 1. This value applies for tp £ 0.3 ms, duty cycle £ 10%.  
2. Derate linearly to 150°C case temperature at the rate of 0.24 W/°C.  
3. Derate linearly to 150°C free air temperature at the rate of 16 mW/°C.  
4. This rating is based on the capability of the transistor to operate safely in a circuit of: L = 20 mH, IB(on) = 0.4 A, RBE = 100 W,  
VBE(off) = 0, RS = 0.1 W, VCC = 20 V.  
P R O D U C T  
I N F O R M A T I O N  
Information is current as of publication date. Products conform to specifications in accordance  
with the terms of Power Innovations standard warranty. Production processing does not  
necessarily include testing of all parameters.  
1
123456

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TIP29C16 MOTOROLA

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 		Power Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP29C16A MOTOROLA

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 		1 A, 100 V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
TIP29C-6200 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP29C-6203 RENESAS

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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
TIP29C-6226 RENESAS

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 		3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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 		3A, 100V, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-220AB
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 		Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plast
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