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TIP127

更新时间： 2024-02-04 18:22:26

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TGS		晶体晶体管达林顿晶体管
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1页	70K
描述
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

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TIP127 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	5 A	集电极-发射极最大电压：	100 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	75 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	4 MHz
Base Number Matches：	1

TIP127 数据手册

TIGER ELECTRONIC CO.,LTD

Product specification

COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS

TIP122 / TIP127

DESCRIPTION

The TIP122 are silicon Epitaxial-Base NPN power transistors in monolithic Darlington

configuration mounted in Jedec TO-220 plastic package. They are intented for use in power

linear and switching applications.The complementary PNP types are TIP127 respectively.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta = 25 ^OC)

Parameter

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Value Unit

Symbol

V_CBO

100

V_CEO

V_EBO

I_C

100

5.0

0.1

Base Current

I_B

Total Dissipation at

P_tot

T_j

^oC

150

Max. Operating Junction Temperature

Storage Temperature

TO-220

T_stg

-55~150 ^oC

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

( Ta = 25 C)

Parameter

Collector Cut-off Current

Emitter Cut-off Current

Symbol

Test Conditions

Min.

Typ.

Max. Unit

I_CEO

I_EBO

V_CB=100V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

0.5

2.0

V_CEO

h_FE(1)

h_FE(2)

Collector-Emitter Sustaining Voltage

DC Current Gain

I_C=30mA, I_B=0

V_CE=3V, I_C=0.5A

V_CE=3V, I_C=3.0A

100

1000

I_C=3.0A,I_B=12mA

I_C=5.0A,I_B=20mA

Collector-Emitter Saturation Voltage

Base-Emitter Saturation Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_CE=3V,I_C=3.0A

2.5

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