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THM362060ASG70

更新时间: 2024-11-25 21:20:23
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东芝 - TOSHIBA /
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6页 265K
描述
THM362060ASG70

THM362060ASG70 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SIMM, SSIM72
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:70 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PSMA-N72内存密度:75497472 bit
内存宽度:36端子数量:72
字数:2097152 words字数代码:2000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX36输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SIMM
封装等效代码:SSIM72封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:1024
座面最大高度:25.4 mm最大待机电流:0.018 A
子类别:Other Memory ICs最大压摆率:0.918 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子节距:1.27 mm
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

THM362060ASG70 数据手册

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