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THM3220C5BSG-70

更新时间: 2024-11-21 20:50:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 150K
描述
IC 2M X 32 EDO DRAM MODULE, 70 ns, SMA72, SIMM-72, Dynamic RAM

THM3220C5BSG-70 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
针数:72Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:70 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
JESD-30 代码:R-XSMA-N72内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:2097152 words
字数代码:2000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:2MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:1024最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):4.75 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

THM3220C5BSG-70 数据手册

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