TG2213S

更新时间： 2024-11-17 22:19:47

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东芝 - TOSHIBA		射频和微波开关射频开关微波开关
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7页	157K
描述
TOSHIBA GaAs Linear Integrated Circuit GaAs Monolithic

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TG2213S 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	FL6,.047,20
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	1dB压缩点：	17 dBm
特性阻抗：	50 Ω	构造：	COMPONENT
最大输入功率 (CW)：	23.01 dBm	最大插入损耗：	0.75 dB
最小隔离度：	18 dB	安装特点：	SURFACE MOUNT
功能数量：	1	端子数量：	6
最大工作频率：	2500 MHz	最小工作频率：	1000 MHz
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装等效代码：	FL6,.047,20
射频/微波设备类型：	DIVERSITY SWITCH	子类别：	RF/Microwave Switches
表面贴装：	YES	技术：	GAAS
Base Number Matches：	1

TG2213S 数据手册

TG2213S

TOSHIBA GaAs Linear Integrated Circuit GaAs Monolithic

TG2213S

RF SPDT Switch

Unit: mm

Antenna switch for Bluetooth class 2, 3

Diversity antenna switching

Filter switching for mobile communication

Local signal switching

Features

Low insertion Loss: L

= 0.35dB (typ.) @1.0 GHz

= 0.45dB (typ.) @2.5 GHz

OSS

High isolation: ISL = 24dB (typ.) @1.0 GHz

= 22dB (typ.) @2.5 GHz

Low voltage operation: V = 0 V/2.7 V

Small package: sES6 package (1.5 × 1.5 × 0.52 mm)

CON

Pin Assignment, Marking

(top view)

Block Diagram

JEDEC

JEITA

―

RFcom

TOSHIBA

2-2Q1A

Weight: 2.1 mg (typ.)

U P

RF1

GND

RF2

RF1

GND

RF2

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Control voltage

Input power

200

Total power dissipation

100

(Note)

Operating temperature range

Storage temperature range

−40 to 85

°C

opr

−55 to 125

stg

Note: When mounted on the glass epoxy of 2.5 cm²´ 1.6 t

2002-11-14

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