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TF666-10Y

更新时间: 2024-11-25 20:51:39
品牌 Logo 应用领域
意法半导体 - STMICROELECTRONICS 栅极
页数 文件大小 规格书
1页 74K
描述
SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1KV V(DRM),700A I(T),TO-200AC

TF666-10Y 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
风险等级:5.84标称电路换相断开时间:25 µs
关态电压最小值的临界上升速率:300 V/us最大直流栅极触发电流:200 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大漏电流:35 mA
通态非重复峰值电流:9000 A最大通态电压:2.1 V
最大通态电流:700000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-45 °C断态重复峰值电压:1000 V
子类别:Silicon Controlled Rectifiers表面贴装:NO
触发设备类型:SCRBase Number Matches:1

TF666-10Y 数据手册

  

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