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TE28F016S3-150

更新时间： 2024-01-15 09:28:29

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
37页	517K
描述
Flash, 2MX8, 150ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40

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TE28F016S3-150 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP	包装说明：	TSOP1, TSSOP40,.8,20
针数：	40	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.81	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	USER-SELECTABLE 3.3V OR 12V VPP	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G40
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	8	功能数量：	1
部门数/规模：	32	端子数量：	40
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	2MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP40,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	3/3.3 V
编程电压：	2.7 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.00002 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.04 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	MOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO
类型：	NOR TYPE	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

TE28F016S3-150 数据手册

PRODUCT PREVIEW

BYTE-WIDE

SMART 3 FlashFile™ MEMORY FAMILY

4, 8, AND 16 MBIT

28F004S3, 28F008S3, 28F016S3

Includes Commercial and Extended Temperature Specifications

SmartVoltage Technology

Smart 3 Flash: 2.7V (Read-Only) or

High-Density 64-Kbyte Symmetrical

Erase Block Architecture

3.3V V_CCand 3.3V or 12V V_PP

4 Mbit: Eight Blocks

8 Mbit: Sixteen Blocks

16 Mbit: Thirty-Two Blocks

High-Performance

120 ns Read Access Time

Extended Cycling Capability

100,000 Block Erase Cycles

Enhanced Data Protection Features

Absolute Protection with V_PP= GND

Flexible Block Locking

Low Power Management

Block Write Lockout during Power

Transitions

Deep Power-Down Mode

Automatic Power Savings Mode

Decreases I_CCin Static Mode

Enhanced Automated Suspend Options

Program Suspend to Read

Automated Program and Block Erase

Command User Interface

Status Register

Block Erase Suspend to Program

Block Erase Suspend to Read

Industry-Standard Packaging

40-Lead TSOP, 44-Lead PSOP

SRAM-Compatible Write Interface

ETOX™ V Nonvolatile Flash

Technology

Intel’s byte-wide Smart 3 FlashFile™ memory family renders a variety of density offerings in the same

package. The 4-, 8-, and 16-Mbit byte-wide FlashFile memories provide high-density, low-cost, nonvolatile,

read/write storage solutions for a wide range of applications. Their symmetrically-blocked architecture, flexible

voltage, and extended cycling provide highly flexible components suitable for resident flash arrays, SIMMs,

and memory cards. Enhanced suspend capabilities provide an ideal solution for code or data storage

applications. For secure code storage applications, such as networking, where code is either directly

executed out of flash or downloaded to DRAM, the 4-, 8-, and 16-Mbit FlashFile memories offer three levels

of protection: absolute protection with V_PPat GND, selective hardware block locking, or flexible software

block locking. These alternatives give designers ultimate control of their code security needs.

This family of products is manufactured on Intel’s 0.4 µm ETOX™ V process technology. They come in

industry-standard packages: the 40-lead TSOP, ideal for board-constrained applications, and the rugged

44-lead PSOP. Based on the 28F008SA architecture, the byte-wide Smart 3 FlashFile memory family

enables quick and easy upgrades for designs that demand state-of-the-art technology.

June 1997

Order Number: 290598-003

12 3 4 5 6 7...37

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TE28F016S5-100	INTEL	获取价格	Flash, 2MX8, 100ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40
TE28F016S5-110	INTEL	获取价格	BYTE-WIDE SMART 5 FlashFile MEMORY FAMILY 4, 8, AND 16 MBIT
TE28F016SC-110	INTEL	获取价格	BYTE-WIDE SmartVoltage FlashFile⑩ MEMORY FAMI
TE28F016SC-170	NUMONYX	获取价格	Flash, 2MX8, 170ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40
TE28F020-120	INTEL	获取价格	28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
TE28F020-150	INTEL	获取价格	28F020 2048K (256K X 8) CMOS FLASH MEMORY
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