5秒后页面跳转
TD81F06KDB PDF预览

TD81F06KDB

更新时间: 2024-12-01 15:54:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
7页 258K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

TD81F06KDB 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:MODULE
包装说明:,针数:5
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.84
快速连接描述:G-GR螺丝端子的描述:A-K-AK
最大维持电流:250 mA最大漏电流:30 mA
通态非重复峰值电流:2200 A最大通态电压:2.1 V
最大通态电流:81000 A最高工作温度:125 °C
最低工作温度:-40 °C重复峰值反向电压:600 V
子类别:Silicon Controlled RectifiersBase Number Matches:1

TD81F06KDB 数据手册

 浏览型号TD81F06KDB的Datasheet PDF文件第2页浏览型号TD81F06KDB的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TD81F06KDB的Datasheet PDF文件第4页浏览型号TD81F06KDB的Datasheet PDF文件第5页浏览型号TD81F06KDB的Datasheet PDF文件第6页浏览型号TD81F06KDB的Datasheet PDF文件第7页 
European Power-  
Semiconductor and  
Electronics Company  
Marketing Information  
TT 81 F  
screwing depth  
max. 12  
fillister head screw  
M6x15 Z4-1  
plug  
A 2,8 x 0,8  
III  
II  
I
14  
G2  
K2  
K1  
G1  
15  
25  
25  
13,3 5  
80  
94  
AK  
K
A
K1 G1  
K2 G2  
VWK Febr. 1997  

与TD81F06KDB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TD81F06KDC INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elem
TD81F06KDM INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elem
TD81F06KEC INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 81000mA I(T), 600V V(RRM)
TD81F06KEL INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 81000mA I(T), 600V V(RRM)
TD81F06KEM INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Elem
TD81F08KCB-A INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 81000mA I(T), 800V V(RRM)
TD81F08KCC-A INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 81000mA I(T), 800V V(RRM)
TD81F08KCC-K INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elem
TD81F08KDC INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 180A I(T)RMS, 81000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Elem
TD81F08KDM-A INFINEON

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 81000mA I(T), 800V V(RRM)