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TD70N22KOF

更新时间： 2024-11-26 19:47:23

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅栅极
页数	文件大小	规格书
13页	411K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 150A I(T)RMS, 70000mA I(T), 2200V V(DRM), 2200V V(RRM), 1 Element, MODULE-5

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TD70N22KOF 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X5	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.30.00.80
风险等级：	5.75	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大直流栅极触发电流：	200 mA
最大直流栅极触发电压：	2 V	快速连接描述：	G-GR
螺丝端子的描述：	A-K-AK	最大维持电流：	300 mA
JESD-30 代码：	R-XUFM-X5	最大漏电流：	25 mA
通态非重复峰值电流：	1450 A	元件数量：	1
端子数量：	5	最大通态电流：	70000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	认证状态：	Not Qualified
最大均方根通态电流：	150 A	断态重复峰值电压：	2200 V
重复峰值反向电压：	2200 V	子类别：	Silicon Controlled Rectifiers
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

TD70N22KOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor-Modul

TT70N

Phase Control Thyristor Module

TT70N

TD70N

Kenndaten

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Elektrische Eigenschaften

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung T_vj= -40°C... T_{vj max}

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

1600

2000

2400

1800 V

2200 V

V_DRM,V_RRM

1600

2000

2400

1700

2100

2500

1800 V

2200 V

Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1900 V

2300 V

Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

150 A

Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

Dauergrenzstrom

average on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

70 A

96 A

T_C= 85°C

T_C= 61°C

1650 A

1450 A

Stoßstrom-Grenzwert

surge current

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I_TSM

13600 A²s

10500 A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 747-6

100 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

6.Kennbuchstabe / 6^thletter C

6.Kennbuchstabe / 6^thletter F

500 V/µs

1000 V/µs

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlaßspannung

max.

2,25 V

1 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 300 A

T_vj= T_{vj max}

v_T

on-state voltage

Schleusenspannung

threshold voltage

Ersatzwiderstand

slope resistance

Zündstrom

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

V_(TO)

r_T

3,8 mΩ

200 mA

2 V

T_vj= T_{vj max}

max.

T_vj= 25°C, v_D= 6 V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

T_vj= T_{vj max}, v_D= 6 V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

10 mA

5 mA

0,25 V

max.

Haltestrom

holding current

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_A= 5 Ω

T_vj= 25°C, v_D= 6 V, R_GK≥ 10 Ω

max.

300 mA

I_L

max. 1200 mA

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

Zündverzug

gate controlled delay time

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

25 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

DIN IEC 747-6

T_vj= 25 °C,i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

1) 2400V auf Anfrage / 2400V on request

C. Drilling

date of publication: 16.05.02

prepared by:

Revision:

approved by: J. Novotny

1/12

A 06/02

Seite/page

BIP AC / 16.05.2002; Drilling

12 3 4 5 6 7...13

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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