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TD3002YT1

更新时间: 2024-11-26 20:02:19
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威世 - VISHAY 放大器脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 65K
描述
Power Field-Effect Transistor, 0.36A I(D), 60V, 5ohm, 2-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

TD3002YT1 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.75风险等级:5.84
配置:SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):0.36 A最大漏源导通电阻:5 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR最大反馈电容 (Crss):5 pF
JESD-30 代码:R-PDSO-G8元件数量:2
端子数量:8工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性/信道类型:N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):0.75 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):20 ns最大开启时间(吨):20 ns
Base Number Matches:1

TD3002YT1 数据手册

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