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TCSA562Y-TA

更新时间： 2023-01-02 16:04:14

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描述
Transistor

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TCSA562Y-TA 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

TCSA562Y-TA 数据手册

TCSA562*

TO-92 PLASTIC PACKAGE

PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR ROHS

Audio Frequency Low Power Amplifier Applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T_a=25ºC unless specified otherwise)

VALUE

DESCRIPTION

SYMBOL

UNITS

V_CBO

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

V_CEO

V_EBO

I_C

500

ºC

I_B

100

Base Current

P_C

625

Collector Power Dissipation

T_j, T_stg

-55 to +150

Operating And Storage Junction

Temperature Range

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25ºC unless specified otherwise)

DESCRIPTION

SYMBOL

TEST CONDITION

V_CB= 35V, I_E= 0

MIN

TYP

MAX

UNITS

I_CBO

Collector Cut Off Current

Emitter Cut Off Current

DC Current Gain

100

240

I_EBO

*hFE

V_EB= 5V, I_C= 0

I_C= 100mA, V_CE= 1V

I_C= 400mA, V_CE= 6V

I_C= 100mA, I_B= 10mA

I_C= 100mA, V_CE= 1V

**hFE

V_CE(sat)

V_BE(on)

Collector Emitter Saturation Voltage

Base Emitter Voltage

0.25

1.0

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Collector Output Capacitance

C_ob

f_t

V_CB= 6V, I_E= 0,

f = 1MHz

V_CE= 6V, I_C= 20mA

Transition Frequency

200

MHz

CLASSIFICATION

*hFE

O : 70 - 140

O : 25 Min

Y : 120 - 240

Y : 40 Min

**hFE

12 3 4

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