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TC851001CP-85

更新时间: 2024-02-16 14:57:17
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
14页 776K
描述
IC 128K X 8 STANDARD SRAM, 85 ns, PDIP32, DIP-32, Static RAM

TC851001CP-85 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:32
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.85
最长访问时间:85 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T32
JESD-609代码:e0内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
功能数量:1端子数量:32
字数:131072 words字数代码:128000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:128KX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR封装形式:IN-LINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

TC851001CP-85 数据手册

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