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TC7WG14FK(TE85L)

更新时间： 2024-09-29 07:32:51

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		栅光电二极管逻辑集成电路触发器
页数	文件大小	规格书
7页	177K
描述
IC,LOGIC GATE,TRIPLE INVERTER,CMOS,TSSOP,8PIN,PLASTIC

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TC7WG14FK(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.12,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.92	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
负载电容（CL）：	30 pF	逻辑集成电路类型：	INVERTER
最大I（ol）：	0.003 A	端子数量：	8
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.12,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	包装方法：	TAPE AND REEL
电源：	1.2/3.3 V	Prop。Delay @ Nom-Sup：	59.6 ns
认证状态：	Not Qualified	施密特触发器：	YES
子类别：	Gates	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

TC7WG14FK(TE85L) 数据手册

TC7WG14FU/FK

TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic

TC7WG14FU,TC7WG14FK

Triple Schmitt Inverter

TC7WG14FU

Features

•

High output current

: ±8 mA (min) at V_CC= 3 V

Super high speed operation: tpd = 4.0 ns (typ.)

at VCC = 3.3 V,15pF

: V_CC= 0.9 to 3.6 V

•

Operating voltage range

5.5-V tolerant inputs

(SM8)

3.6-V power down protection outputs

TC7WG14FK

Marking

SM8

G 14

US8

Product Name

Lot No.

(US8)

Weight

SSOP8-P-0.65

SSOP8-P-0.50A

: 0.02 g (typ.)

: 0.01 g (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Supply voltage

Symbol

Rating

Unit

−0.5 to 4.6

Pin Assignment (top view)

DC input voltage

−0.5 to 7.0

−0.5 to 4.6 (Note1)

DC output voltage

OUT

−0.5 to V +0.5 (Note2)

Input diode current

Output diode current

DC output current

−20

±25

(Note3)

OUT

GND

DC V /GND current

±50

300 (SM8)

200 (US8)

Power dissipation

°C

Storage temperature

stg

−65 to 150

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if

the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings and the operating ranges.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report

and estimated failure rate, etc).

Note 1: V

= 0 V

Note 2: High or Low State. Do not exceed IOUT of absolute maximum ratings.

Note 3: V < GND

OUT

2009-09-18

12 3 4 5 6 7

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