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TC7W241FUTE12L

更新时间： 2024-02-13 19:05:24
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 驱动光电二极管逻辑集成电路
页数 文件大小 规格书
6页 133K
描述
Buffer/Line Driver 2-CH Non-Inverting 3-ST CMOS 8-Pin SSOP T/R

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TC7W241FUTE12L 技术参数

生命周期：Active包装说明：LSSOP,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
系列：HC/UHJESD-30 代码：R-PDSO-G8
长度：2.9 mm逻辑集成电路类型：BUS DRIVER
位数：1功能数量：2
端口数量：2端子数量：8
最高工作温度：85 °C最低工作温度：-40 °C
输出特性：3-STATE输出极性：TRUE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：LSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
传播延迟（tpd）：165 ns座面最大高度：1.3 mm
最大供电电压 (Vsup)：6 V最小供电电压 (Vsup)：2 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.65 mm
端子位置：DUAL宽度：2.8 mm
Base Number Matches：1

TC7W241FUTE12L 数据手册

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TC7W241FU  
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic  
TC7W241FU  
Non-Inverted, 3-State Outputs  
The TC7W241FU is a high speed C2MOS Dual Bus Buffers  
fabricated with silicon gate C2MOS technology.  
It achieves the high speed operation similar to equivalent  
LSTTL while maintaining the C2MOS low power dissipation.  
It is a non-inverting 3-state buffer has one active-high and one  
active-low output enable.  
All inputs are equipped with protection circuits against static  
discharge or transient excess voltage.  
Weight: 0.02 g (typ.)  
Features  
•
•
•
•
•
•
•
High speed: t = 10 ns (typ.) at V  
= 5 V  
pd  
CC  
Low power dissipation: I  
= 2 μA (max) at Ta = 25°C  
CC  
High noise immunity: V  
= V  
= 28% V  
(min)  
NIH  
NIL  
CC  
Output drive capability: 15 LSTTL loads  
Symmetrical output impedance: |I | = I  
= 6 mA (min)  
OL  
OH  
∼
−
Balanced propagation delays: t  
t
pHL  
pLH  
Wide operating voltage range: V  
(opr) = 2 to 6 V  
CC  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Supply voltage range  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−0.5 to 7  
V
V
CC  
DC input voltage  
V
−0.5 to V  
+ 0.5  
IN  
CC  
CC  
DC output voltage  
Input diode current  
Output diode current  
DC output current  
V
−0.5 to V  
+ 0.5  
V
OUT  
I
±20  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
IK  
I
±20  
±35  
OK  
I
OUT  
DC V /ground current  
CC  
I
±37.5  
300  
CC  
Power dissipation  
P
D
Storage temperature range  
Lead temperature (10 s)  
T
stg  
−65 to 150  
T
L
260  
°C  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the  
significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if  
the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings and the operating ranges.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
1
2009-09-30  
123456

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