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TC75W60FK(TE85L)

更新时间： 2024-02-07 21:21:37

品牌	Logo	应用领域
东芝 - TOSHIBA		放大器光电二极管
页数	文件大小	规格书
11页	206K
描述
IC,OP-AMP,DUAL,CMOS,TSSOP,8PIN,PLASTIC

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TC75W60FK(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Lifetime Buy
包装说明：	TSSOP, TSSOP8,.12,20	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.89	Is Samacsys：	N
放大器类型：	OPERATIONAL AMPLIFIER	架构：	VOLTAGE-FEEDBACK
频率补偿：	YES	最大输入失调电压：	7000 µV
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	低-偏置：	YES
低-失调：	NO	微功率：	YES
功能数量：	2	端子数量：	8
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP8,.12,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	包装方法：	TAPE AND REEL
电源：	+-0.9/+-3.5/1.8/7 V	认证状态：	Not Qualified
标称压摆率：	4 V/us	子类别：	Operational Amplifiers
最大压摆率：	1 mA	供电电压上限：	3.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
最小电压增益：	1000	Base Number Matches：	1

TC75W60FK(TE85L) 数据手册

TC75W60FU/FK

TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic

TC75W60FU, TC75W60FK

Dual Operational Amplifier

TC75W60FU

Features

•

High slew rate

Single and dual power Supply operations are possible.

: V = ±0.9 to 3.5 V or 1.8 to 7 V

: SR (V

= 3 V) = 5.1 V/μs (typ.)

•

Lower supply current than general-purpose bipolar type op amps

: I (V = 3 V) = 660 μA (typ.)

DD DD

•

The internally phase compensated operational amplifier.

Small package

TC75W60FK

Weight

SSOP8-P-0.65 : 0.021 g (typ.)

SSOP8-P-0.50A : 0.01 g (typ.)

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Supply voltage

Symbol

Rating

Unit

, V

DD SS

Differential input voltage

Input voltage

± 7

to V

250

200

TC75W60FU

TC75W60FK

Power dissipation

Operating temperature

Storage temperature

−40 to 85

°C

opr

−55 to 125

stg

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings and the operating ranges.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2007-11-01

12 3 4 5 6 7...11

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