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TC51WKM516AXBN75

更新时间： 2024-02-14 14:44:52
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA /
页数 文件大小 规格书
11页 116K
描述
2,097,152-WORD BY 16-BIT CMOS PSEUDO STATIC RAM

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TC51WKM516AXBN75 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：BGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.92
Base Number Matches：1

TC51WKM516AXBN75 数据手册

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TC51WKM516AXBN75  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (See Note 1)  
SYMBOL  
RATING  
VALUE  
UNIT  
V
V
V
V
Power Supply Voltage  
−1.0 to 3.6  
V
V
DD  
Output Buffer Power Supply Voltage  
Input Voltage for Address and Control Pins  
Input/Output Voltage for I/O Pins  
Operating Temperature  
−1.0 to V  
+ 0.5 (3.6 V Max)  
DDQ  
IN  
DD  
−1.0 to 3.6  
V
−1.0 to V  
+ 0.5  
V
I/O  
DDQ  
T
opr.  
T
strg.  
T
solder  
−25 to 85  
°C  
°C  
°C  
W
mA  
Storage Temperature  
−55 to 150  
Soldering Temperature (10 s)  
Power Dissipation  
260  
0.6  
50  
P
D
I
Short Circuit Output Current  
OUT  
DC RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (Ta = −25°C to 85°C)  
SYMBOL  
PARAMETER  
Power Supply Voltage  
MIN  
TYP.  
MAX  
UNIT  
V
V
2.6  
1.7  
2.75  
1.8  
3.3  
2.2  
DD  
Output Buffer Power Supply Voltage  
Input High Voltage for Address and Control Pins  
Input High Voltage for I/O Pins  
Input Low Voltage  
DDQ  
V
1.6  
V
+ 0.3*  
DD  
V
V
IH  
1.6  
V
+ 0.3*  
DDQ  
−0.3*  
0.4  
IL  
* : V (Max) V +1.0 V/ V  
+1.0 V with 10 ns pulse width  
IH DD DDQ  
V (Min) -1.0 V with 10 ns pulse width  
IL  
DC CHARACTERISTICS (Ta = −25°C to 85°C, V = 2.6 to 3.3 V, V  
= 1.7 to 2.2 V)  
DD  
DDQ  
(See Note 3 to 4)  
SYMBOL  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
MIN  
TYP. MAX UNIT  
I
Input Leakage Current  
Output Leakage Current  
Output High Voltage  
Output Low Voltage  
V
= 0 V to V  
DDQ  
−1.0  
−1.0  
+1.0  
+1.0  
µA  
µA  
V
IL  
IN  
I
Output disable, V  
= 0 V to V  
OUT DD  
LO  
V
I
I
= − 100 µA  
= 100 µA  
V
− 0.2  
OH  
OL  
OH  
DDQ  
V
0.2  
40  
V
OL  
CE1 = V  
IL  
CE2 = V , I  
I
I
Operating Current  
t
t
= min  
= min  
mA  
mA  
DDO1  
RC  
= 0 mA  
IH OUT  
CE1 = V , CE2 = V  
Page add. cycling, I  
,
IL IH  
Page Access Operating Current  
Standby Current(MOS)  
25  
DDO2  
PC  
= 0 mA  
OUT  
I
I
CE1 = V  
DD  
− 0.2 V, CE2 = V  
− 0.2 V  
DD  
70  
5
µA  
µA  
DDS  
Deep Power-down Standby Current CE2 = 0.2 V  
DDSD  
CAPACITANCE (Ta = 25°C, f = 1 MHz)  
SYMBOL  
PARAMETER  
TEST CONDITION  
= GND  
MAX  
UNIT  
C
C
Input Capacitance  
Output Capacitance  
V
IN  
10  
10  
pF  
pF  
IN  
V
OUT  
= GND  
OUT  
Note: This parameter is sampled periodically and is not 100% tested.  
2002-08-22 3/11  
1234567...11

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