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TBL150P06D

更新时间： 2024-04-09 19:00:37

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银河微电 - BL Galaxy Electrical		/
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5页	691K
描述
78A, 60V, 187W, P Channel, Power MOSFETs

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TBL150P06D 数据手册

P-Channel Enhancement Mode MOSFET

TBL150P06D

Ratings and Characteristics Curves (@ T_A= 25C unless otherwise specified)

V_GS= -3.5V

V_GS= -4V

V_GS= -4.5V

V_GS= -6V ~ -10V

V_GS= -3V

V_GS= -10V

V_GS= -2.8V

V_GS= -2.6V

V_GS= -2.4V

-V_DS(V)

-I_D(A)

Fig 1 Typical Output Characteristics

Fig 2 On-Resistance vs. Drain Current

and Gate Voltage

I_D= -20A

175℃

150℃

25℃

150℃

25℃

175℃

-55℃

0.3

0.6

0.9

1.2

1.5

-V_GS(V)

-V_SD(V)

Fig 3 On-Resistance vs. Gate-Source Voltage

Fig 4 Body-Diode Characteristics

2.1

V_DS= -10V

1.9

1.7

1.5

1.3

1.1

0.9

0.7

0.5

V_GS= -10V; I_D= -20A

175℃

150℃

V_GS= -4.5V; I_D= -20A

25℃

-55℃

-75 -50 -25

25 50 75 100 125 150 175

-V_GS(V)

T_J(℃)

Fig 5 Normalized On-Resistance vs. Junction

Temperature

Fig 6 Transfer Characteristics

MTM1008A: December 2022 [2.0]

www.gmesemi.com

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