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TB1100M

更新时间: 2024-01-09 23:02:34
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美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
4页 189K
描述
50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

TB1100M 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.69Is Samacsys:N
最大转折电压:130 V配置:SINGLE
最大断态直流电压:90 V最大维持电流:800 mA
JESD-30 代码:R-PDSO-C2通态非重复峰值电流:25 A
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):255
认证状态:Not Qualified子类别:Silicon Surge Protectors
表面贴装:YES端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
触发设备类型:SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches:1

TB1100M 数据手册

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(Note 3)  
Ordering Information  
Device  
Packaging  
Shipping  
TB0640M-13  
TB0720M-13  
TB0900M-13  
TB1100M-13  
TB1300M-13  
TB1500M-13  
TB1800M-13  
TB2300M-13  
TB2600M-13  
TB3100M-13  
TB3500M-13  
SMB  
3000/Tape & Reel  
Notes:  
3. For Packaging Details, go to our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf.  
Marking Information  
XXXXX = Product Type Marking Code  
YWW = Date Code Marking  
Y = Year ex: 2 = 2002  
YWW  
XXXXX  
WW = Week  
Date Code Key  
Year  
2002  
2003  
2004  
Code  
2
3
4
T
EN  
PM  
LO  
VE  
DE  
R
DE  
UN  
DS30361 Rev. 2 - 1  
4 of 4  
TB0640M - TB3500M  

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