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TB1100M

更新时间： 2024-02-18 02:47:23
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美台 - DIODES /
页数 文件大小 规格书
4页 189K
描述
50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE

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TB1100M 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-C2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.30.00.80
风险等级：5.69Is Samacsys：N
最大转折电压：130 V配置：SINGLE
最大断态直流电压：90 V最大维持电流：800 mA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2通态非重复峰值电流：25 A
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：255
认证状态：Not Qualified子类别：Silicon Surge Protectors
表面贴装：YES端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
触发设备类型：SILICON SURGE PROTECTORBase Number Matches：1

TB1100M 数据手册

 浏览型号TB1100M的Datasheet PDF文件第1页浏览型号TB1100M的Datasheet PDF文件第3页浏览型号TB1100M的Datasheet PDF文件第4页 
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Electrical Characteristics  
Off-State  
Leakage  
Current @  
VDRM  
Rated  
Repetitive  
Off-State  
Voltage  
On-State  
Voltage  
@ IT = 1A  
Breakover  
Current  
IBO  
Holding Current  
IH  
Breakover  
Voltage  
Off-State  
Capacitance  
Part Number  
Marking Code  
Min  
Max  
Min  
VDRM (V)  
IDRM (uA)  
VBO (V)  
VT (V)  
CO (pF)  
Max (mA)  
(mA)  
(mA)  
(mA)  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
TB0640M  
TB0720M  
TB0900M  
TB1100M  
TB1300M  
TB1500M  
TB1800M  
TB2300M  
TB2600M  
TB3100M  
TB3500M  
58  
65  
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
5
77  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
3.5  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
50  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
150  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
800  
140  
140  
140  
90  
T064M  
T072M  
T090M  
T110M  
T130M  
T150M  
T180M  
T230M  
T260M  
T310M  
T350M  
88  
75  
98  
90  
130  
160  
180  
220  
265  
300  
350  
400  
120  
140  
160  
190  
220  
275  
320  
90  
90  
90  
60  
60  
60  
60  
Symbol  
VDRM  
IDRM  
VBR  
IBR  
Parameter  
Stand-off Voltage  
Leakage current at stand-off voltage  
Breakdown voltage  
Breakdown current  
VBO  
IBO  
Breakover voltage  
Breakover current  
IH  
Holding current  
NOTE: 1  
VT  
On state voltage  
Peak pulse current  
Off-state capacitance  
IPP  
CO  
NOTE: 2  
Notes:  
1. IH > (VL/RL) If this criterion is not obeyed, the TSPD triggers but does not return correctly to high-resistance state. The surge  
recovery time does not exceed 30ms.  
2. Off-state capacitance measured at f = 1.0MHz, 1.0VRMS signal, VR = 2VDC bias.  
I
I
PP  
I
BO  
I
H
I
BR  
I
DRM  
V
V
BR  
V
T
V
V
DRM  
BO  
T
EN  
PM  
LO  
VE  
DE  
R
DE  
UN  
DS30361 Rev. 2 - 1  
2 of 4  
TB0640M - TB3500M  
1234

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与TB1100M相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
TB1100M-13 DIODES

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 		50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE
TB1100M-13-F DIODES

获取价格

 		50A BI-DIRECTIONAL SURFACE MOUNT THYRISTOR SURGE PROTECTIVE DEVICE
TB1100M-7 DIODES

获取价格

 		Silicon Surge Protector, 30A, PLASTIC, SMB, 2 PIN
TB11013100J0G AMPHENOL

获取价格

 		Barrier Strip Terminal Block
TB11018200J0G AMPHENOL

获取价格

 		Barrier Strip Terminal Block
TB1106A GOLLEDGE

获取价格

 		SAW Filter 276.50MHz
TB1107A GOLLEDGE

获取价格

 		SAW Filter 91.850MHz
TB1109A TAI-SAW

获取价格

 		SAW Filter 70MHz (SMD 13.3×6.5 mm)
TB1109A GOLLEDGE

获取价格

 		SAW Filter 70.0MHz
TB110F-SULF PANASONIC

获取价格

 		Pushbutton Switch, SPST, Momentary, 8A, 30VDC, Screw Terminal, Panel Mount-threaded, ROHS

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