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TA4006F-GR

更新时间: 2024-11-19 13:14:23
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东芝 - TOSHIBA 晶体射频放大器小信号场效应晶体管射频小信号场效应晶体管电视光电二极管
页数 文件大小 规格书
5页 181K
描述
TRANSISTOR UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, 0.95 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-5, FET RF Small Signal

TA4006F-GR 技术参数

生命周期:Active零件包装代码:SSOP
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5针数:5
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.68
配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTORFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最高频带:ULTRA HIGH FREQUENCY BANDJESD-30 代码:R-PDSO-G5
元件数量:1端子数量:5
工作模式:DUAL GATE, DEPLETION MODE最高工作温度:85 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:0.25 W最小功率增益 (Gp):19 dB
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

TA4006F-GR 数据手册

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