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T940N12TOF

更新时间： 2024-01-22 21:35:30

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英飞凌 - INFINEON		栅栅极
页数	文件大小	规格书
10页	242K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 2150A I(T)RMS, 936000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,

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T940N12TOF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DISK BUTTON, O-XXDB-X3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.30.00.80	风险等级：	7.67
标称电路换相断开时间：	250 µs	配置：	SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率：	1000 V/us	最大直流栅极触发电流：	250 mA
最大直流栅极触发电压：	2.2 V	最大维持电流：	300 mA
JESD-30 代码：	O-XXDB-X3	最大漏电流：	100 mA
通态非重复峰值电流：	17500 A	元件数量：	1
端子数量：	3	最大通态电流：	936000 A
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	ROUND
封装形式：	DISK BUTTON	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
认证状态：	Not Qualified	最大均方根通态电流：	2150 A
断态重复峰值电压：	1200 V	重复峰值反向电压：	1200 V
子类别：	Silicon Controlled Rectifiers	表面贴装：	YES
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	触发设备类型：	SCR
Base Number Matches：	1

T940N12TOF 数据手册

Datenblatt / Data sheet

Netz-Thyristor

Phase Control Thyristor

T940N

Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Höchstzulässige Werte / Maximum rated values

_Pere_ion_din_scd_ha_et_Ve_on_{rwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung}

1200

1400

1600 V

1800 V

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DRM,V_RRM

repetitive peak forward off-state and reverse voltages

Elektrische Eigenschaften

1200

1400

1600 V

1800 V

Vorwärts-Stossspitzensperrspannung

T_vj= -40°C... T_{vj max}

V_DSM

non-repetitive peak forward off-state voltage

1300

1500

1700 V

1900 V

Rückwärts-Stossspitzensperrspannung

non-repetitive peak reverse voltage

T_vj= +25°C... T_{vj max}

V_RSM

1759 A

Durchlassstrom-Grenzeffektivwert

maximum RMS on-state current

I_TRMSM

I_TAVM

959 A

Dauergrenzstrom

average on-state current

T_C= 85 °C

1400 A

2200 A

Dauergrenzstrom

T_C= 55 °C, θ = 180°sin, t_P= 10 ms I_TAVM

average on-state current

Durchlaßstrom-Effektivwert

RMS on-state current

I_TRMS

17500 A

15500 A

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

Stossstrom-Grenzwert

surge current

I_TSM

1530 10³ A²s

1200 10³ A²s

Grenzlastintegral

I²t-value

T_vj= 25 °C, t_P= 10 ms

T_vj= T_{vj max}, t_P= 10 ms

I²t

DIN IEC 60747-6

200 A/µs

Kritische Stromsteilheit

(di_T/dt)_cr

(dv_D/dt)_cr

f = 50 Hz, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

critical rate of rise of on-state current

1000 V/µs

Kritische Spannungssteilheit

critical rate of rise of off-state voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,67 V_DRM

5.Kennbuchstabe / 5^thletter F

Charakteristische Werte / Characteristic values

Durchlassspannung

on-state voltage

max.

1,95 V

1,17 V

T_vj= T_{vj max}, i_T= 3,6 kA

T_vj= T_{vj max}, i_T= 1 kA

v_T

0,85 V

Schleusenspannung

threshold voltage

T_vj= T_{vj max}

V_(TO)

r_T

0,27 mΩ

Ersatzwiderstand

slope resistance

Durchlasskennlinie

on-state characteristic

200 A ≤ i_T≤ 4700 A

1,046E+00

2,313E-04

-5,398E-02

8,494E-03

v_T= A + B i_T+ C ln(i_T+ 1) + D

i_T

Zündstrom

T_vj= 25 °C, v_D= 12V

I_GT

V_GT

I_GD

V_GD

I_H

max.

250 mA

gate trigger current

Zündspannung

gate trigger voltage

max.

2,2 V

Nicht zündender Steuerstrom

gate non-trigger current

T_vj= T_{vj max}, v_D= 12V

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

max.

10 mA

5 mA

Nicht zündende Steuerspannung

gate non-trigger voltage

T_vj= T_{vj max}, v_D= 0,5 V_DRM

T_vj= 25°C, v_D= 12V

max.

0,25 V

Haltestrom

holding current

max.

300 mA

Einraststrom

latching current

T_vj= 25°C, v_D= 12V, R_GK≥ 10 Ω

i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs, t_g= 20 µs

I_L

max. 1500 mA

Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom

forward off-state and reverse current

T_vj= T_{vj max}

i_D, i_R

t_gd

max.

100 mA

4 µs

v_D= V_DRM, v_R= V_RRM

Zündverzug

gate controlled delay time

DIN IEC 60747-6

T_vj= 25 °C, i_GM= 1 A, di_G/dt = 1 A/µs

H.Sandmann

date of publication: 2010-09-02

prepared by:

revision:

3.2

approved by: M.Leifeld

IFBIP D AEC / 2010-09-02, H.Sandmann

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T940N12TOF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
T940N14TOF	INFINEON	功能相似	Silicon Controlled Rectifier, 2150A I(T)RMS, 936000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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T940N14TOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2150A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element,
T940N14TOFXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2150A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element,
T940N16TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2150A I(T)RMS, 936000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1
T940N16TOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2150A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element
T940N16TOFXPSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2150A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element,
T940N18TOF	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2150A I(T)RMS, 936000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1
T940N18TOFHOSA1	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 2150A I(T)RMS, 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 Element
T-941	RHOMBUS-IND	获取价格	Pulse Transformers for Maxim "MAX253"
T-942	RHOMBUS-IND	获取价格	Pulse Transformer

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