5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DISK BUTTON, O-XXDB-X3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.75 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 250 mA |
| JESD-30 代码： | O-XXDB-X3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 1000 A |
| 断态重复峰值电压： | 1100 V | 重复峰值反向电压： | 1100 V |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | NICKEL |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T82F116533DN | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, CASE T |
|
| T82F116542DN | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, CASE T |
|
| T82F116543DN | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, CASE T |
|
| T82F116552DN | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, CASE T |
|
| T82F116553DN | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, CASE T |
|
| T82F116562DN | POWEREX |
获取价格 |
Fast Switching SCR |
|
| T82F116563DN | POWEREX |
获取价格 |
Fast Switching SCR |
|
| T82F116572DN | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1100V V(DRM), 1100V V(RRM), 1 Element, CASE T |
|
| T82F116573DN | POWEREX |
获取价格 |
Fast Switching SCR |
|
| T82F1165B2DN | POWEREX |
获取价格 |
Fast Switching SCR |
|
74LS298PC手册解读：参数说明、引脚说明、替代型号推荐
L6234手册解读：引脚信息、电气参数
解读BSP135H6327资料：电气参数及替换型号推荐
FDG6302P资料解析：电气参数、产品特性
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
