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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-XXDB-X3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 200 mA |
| JESD-30 代码： | O-XXDB-X3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | DISK BUTTON |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1000 A | 断态重复峰值电压： | 1000 V |
| 重复峰值反向电压： | 1000 V | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T82F106552DN | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, CASE T |
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| T82F106553DN | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, CASE T |
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| T82F106562DN | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, CASE T |
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| T82F106563DN | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, CASE T |
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| T82F106572DN | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, CASE T |
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| T82F106573DN | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, CASE T |
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| T82F1065B2DN | POWEREX |
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Fast Switching SCR |
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| T82F1065B3DN | POWEREX |
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Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, CASE T |
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| T82F1065K2DN | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, CASE T |
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| T82F1065K3DN | POWEREX |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1000A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, CASE T |
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