5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | DISK BUTTON, O-XXDB-X3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 | 标称电路换相断开时间： | 500 µs |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 350 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 3.5 V | 最大维持电流： | 350 mA |
| JESD-30 代码： | O-XXDB-X3 | 最大漏电流： | 900 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 105000 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 4020000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 最大均方根通态电流： | 6100 A |
| 断态重复峰值电压： | 5000 V | 重复峰值反向电压： | 5000 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| T4021N52TOH | INFINEON |
获取价格 |
T4021N 相位控制晶闸管盘具有高可靠性、坚固且密封的陶瓷外壳，外壳直径 172mm，高 |
|
| T4021N52TOHHOSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 6100A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element |
|
| T4021N52TOHXPSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 6100A I(T)RMS, 5200V V(DRM), 5200V V(RRM), 1 Element, |
|
| T4022 | PULSE |
获取价格 |
TELECOMMUNICATIONS PRODUCTS |
|
| T402242000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| T402243000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| T402244000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| T402246000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| T402248000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
| T40224C000J0G | AMPHENOL |
获取价格 |
Barrier Strip Terminal Block |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
